文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201711440730.3

申 请 日：20171227

发 明 人：马英俊 郑安生 马远飞 林泉 易见伟 龙彪 张洁 邢爱君

申 请 人：有研光电新材料有限责任公司

申请人地址：065001 河北省廊坊市廊坊开发区百合道4号

公 开 日：20180424

公 开 号：CN107955971A

代 理 人：佟林松

代理机构：11619 北京辰权知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本发明涉及水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法，包括：将封装好砷化镓多晶料的石英管装入水平单晶炉加热体，接种籽晶；当晶体由高温区生长至距界面区第一固定距离时，以0.5‑3.0℃/h的降温速率降低界面区温度，并以特定速率移动水平单晶炉加热体；当晶体的生长界面距界面区第二固定距离时，停止移动水平单晶炉加热体；继续以1‑8℃/h的降温速率对界面区继续降温，将晶体生长界面回调至距界面区的第一固定距离处；循环重复上述步骤，直至晶体生长长度达到标准长度。本发明的放肩方法可有效降低放肩时晶体生长出现孪晶、夹晶和花晶情况几率，提高单晶生长放肩成功率，从而大幅提高单晶生长成品率和生产效率。

主 权 项：1.水平法砷化镓单晶拉制过程中的放肩方法，其特征在于，所述放肩方法在水平单晶炉加热体中实现，所述水平单晶炉加热体包括沿水平方向设置的十二个加热区段，所述十二个加热区段依次编号为Ι～XII，其中Ι～VI区为各区温度依次升高的高温区，VII区为界面区，VIII～XII区为温度各区温度依次降低的低温区，所述放肩方法包括以下步骤：S1：将封装好砷化镓多晶料的石英管装入水平单晶炉加热体，降温进行接籽晶；S2：当晶体由高温区生长至挨近VII区，且生长界面距VII区第一固定距离时，以第一降温速率降低VII区温度，并以特定速率移动水平单晶炉加热体；S3：直至晶体的生长界面进一步挨近VII区，并距VII区第二固定距离时，停止移动水平单晶炉加热体；S4：继续以第二降温速率对VII区继续降温，将晶体生长界面回调至挨近VII区的第一固定距离；S5：循环重复步骤S2～S4，直至晶体生长长度达到标准长度；其中，第一降温速率为0.5-3.0℃/h，所述第二降温速率为1-8℃/h。

关 键 词：界面区 放肩 固定距离  单晶炉  加热体  单晶生长  晶体生长  晶体生长界面  砷化镓单晶 生产效率  生长界面  速率降低  停止移动  循环重复  移动水平  拉制  成品率  多晶料  高温区  晶体的  砷化镓 石英管  水平法 回调  孪晶 种籽 封装  装入  成功率  生长  

IPC专利分类号：C30B29/42(20060101);C30B11/00(20060101)