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南昌黄绿照明有限公司 收藏

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研究主题:LED芯片    多量子阱    芯片    发光二极管    MOCVD    

研究学科:电子信息类    电气类    自动化类    

被引量:14H指数:1EI: 1 北大核心: 2 CSCD: 2

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106 条 记 录,以下是 1-10

五基色LED照明光源技术进展
1
《照明工程学报》南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心;南昌黄绿照明有限公司 刘军林 莫春兰 张建立 王光绪 徐龙权 丁杰 李树强 王小兰 吴小明 潘拴 方芳 全知觉 郑畅达 郭醒 陈芳 江风益  出版年:2017
国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400600);国家自然科学基金(批准号:61334001)
现有的白光LED是通过蓝光LED激发黄色荧光粉获得的,虽然其光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但其显色指数、色温和光效之间难以协调发展。采用多色高效率LED(红、黄、绿、青、蓝光)可合成低色温、高显色指数、高光效、对人眼...
关键词:五基色  高品质  LED照明 黄光LED  
Ni插入层对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理 ( EI收录)
2
《发光学报》南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心;南昌黄绿照明有限公司 徐帅 王光绪 吴小明 郭醒 刘军林 江风益  出版年:2019
国家自然科学基金青年科学基金(61604066);国家自然科学基金重点项目(61334001,21405076,11604137,11674147,51602141)资助;国家重点研发计划(2016YFB0400600,2016YFB0400601)~~
采用“牺牲Ni处理”的方法研究了Ni对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理。利用传输线法(TLM)、紫外分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)以及二次离子质谱仪(SIMS)等表征方式对Ag/p-GaN界面层光电性能进行...
关键词:Ag/p-GaN接触  牺牲Ni处理  Ni插入层  表面费米能级  
一种LED薄膜芯片的半导体基板
3
[实用新型] 南昌黄绿照明有限公司;南昌大学 20130608王光绪 刘军林 江风益  出版年:2013
本实用新型公开了一种LED薄膜芯片的半导体基板,包括半导体基板本体,特征是:在半导体基板本体的上表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的上粗糙层,上粗糙层与键合金属进行结合,在半导体基板本体的下表面加工有经过表面粗糙化处...
一种LED芯片的自动筛选系统及筛选方法
4
[发明专利] 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 20150319刘军林 陶喜霞 江风益  出版年:2017
本发明公开了一种LED芯片的自动筛选系统和筛选方法,特别适用于筛除在光电参数测试后的加工过程中所产生的正向漏电不良的LED芯片。该自动筛选系统包括自动载物台、荧光显微镜、光学检测机和芯片拾取装置,自动载物台可在计算机的控...
一种直接板上芯片的LED封装结构
5
[实用新型] 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 20170606郭醒 王光绪 付江 李建华 刘军林 江风益  出版年:2018
本实用新型公开了一种直接板上芯片的LED封装结构,该LED封装结构是将LED芯片通过固晶层直接键合在基板上,引线的两端分别与LED芯片的上电极、基板上的电路固定连接,在基板上直接模顶成型光学透镜。本实用新型采用一次光学透...
一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法
6
[发明专利] 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 20161227刘军林 张建立 陶喜霞 江风益  出版年:2017
本发明提供了一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法,该GaN基LED的结构包括衬底,在衬底上依次设有缓冲层、n型层、量子阱层和p型层,在n型层内设有一掺杂C元素的GaN黄带发光层,厚度为2─20μm,C元素掺...
低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法
7
[发明专利] 南昌黄绿照明有限公司;南昌大学 20130829王光绪 刘军林 江风益  出版年:2016
本发明公开了一种低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法,其结构包括:基板层,生长衬底上的外延层被转移至所述基板层之上;基板层与外延层之间,由上至下依次有阻挡保护层、稀释保护层和黏结层;N电极位于外延层之上。它利用由多...
半导体照明核心技术发展机遇与挑战
8
第八届中国国际半导体照明论坛(大会/技术分会) 2011江风益  出版年:2011
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一种MOCVD石墨盘自动传递机构
9
[发明专利] 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 20140619蒲勇 赵鹏  出版年:2016
一种MOCVD石墨盘自动传递机构,属于MOCVD装备制造技术领域。包括安装在反应室底板下面的固定座,升降直线导轨固接在固定座中上部;安装板固接在升降滑块上,在安装板上固接有两个轴承座组件,旋转轴紧配合安装在两个轴承座组件...
一种高电子迁移率晶体管外延结构
10
[实用新型] 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 20180329江风益 刘军林 张建立 全知觉 莫春兰 王小兰 吴小明 徐龙权 丁杰  出版年:2018
本实用新型提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构,包括硅衬底,在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层,所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层,所述GaN三维层为利用晶格常...
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