文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201611224132.8

申 请 日：20161227

发 明 人：刘军林 张建立 陶喜霞 江风益

申 请 人：南昌大学 南昌黄绿照明有限公司

申请人地址：330047 江西省南昌市南京东路235号

公 开 日：20170531

公 开 号：CN106784190A

代 理 人：张文

代理机构：36100 江西省专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明提供了一种具有变色功能的GaN基LED的结构及其调节方法，该GaN基LED的结构包括衬底，在衬底上依次设有缓冲层、n型层、量子阱层和p型层，在n型层内设有一掺杂C元素的GaN黄带发光层，厚度为2─20μm，C元素掺杂浓度为1×10<Sup>19</Sup>─1×10<Sup>21</Sup>cm<Sup>‑3</Sup>；量子阱层通电时发射蓝光，量子阱层所发射的蓝光激发GaN黄带发光层发射黄光，蓝光和黄光可混合成不同颜色的光。通过调节输入电流的大小，来调制量子阱层发射的蓝光与GaN黄带发光层发射的黄光的配比，从而可获得不同颜色的光，包括黄光、白光和蓝光。这种LED可发射包含白光在内的多种颜色的光，光的颜色可轻松变换，易于实现复杂的照明效果，或用于光通信领域。

主 权 项：1.一种具有变色功能的GaN基LED的结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上设有n型层、量子阱层和p型层，其特征在于：在所述n型层内设有一掺杂C元素的GaN黄带发光层，厚度为2-20μm，C元素掺杂浓度为1×10¹⁹-1×10²¹cm^-3；量子阱层通电时发射蓝光，量子阱层所发射的蓝光激发GaN黄带发光层发射黄光。

关 键 词：量子阱层  发射  黄光  蓝光 发光层  白光 衬底  光通信领域 变色功能  蓝光激发  输入电流 元素掺杂  照明效果 缓冲层  配比  调制  掺杂  通电  

IPC专利分类号：H01L33/00(20100101);H01L33/30(20100101);H01L33/32(20100101)