文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201820436749.4

申 请 日：20180329

发 明 人：江风益 刘军林 张建立 全知觉 莫春兰 王小兰 吴小明 徐龙权 丁杰

申 请 人：南昌大学 南昌黄绿照明有限公司

申请人地址：330027 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号

公 开 日：20181123

公 开 号：CN208142186U

代 理 人：赵艾亮

代理机构：11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型提供了一种高电子迁移率晶体管外延结构，包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。本实用新型在缓冲层和GaN高阻层之间引入一层位错锐减结构，即利用AlN与GaN之间的晶格常数差异形成的应力，在AlN应力层上直接生长GaN三维层，然后通过采用侧向外延技术在GaN三维层上形成GaN合并层，这样就无需二次外延，结构简单且实用性高，同时可以大幅地降低HEMT材料中的位错密度，提高晶体质量，从而提升HEMT器件的电子迁移率、击穿电压等特性。

主 权 项：1.一种高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于：包括硅衬底，在硅衬底上依次设有缓冲层、位错锐减结构、高阻层、沟道层、势垒层和盖层，所述位错锐减结构包括AlN应力层、GaN三维层和GaN合并层，所述GaN三维层为利用晶格常数差异在所述AlN应力层上形成的，所述GaN合并层为利用所述GaN三维层的侧向外延形成的。

关 键 词：三维  合并层  应力层  位错  晶格常数差异  本实用新型  侧向外延  高阻层  硅衬底  缓冲层  高电子迁移率晶体管 电子迁移率 击穿电压  外延结构  直接生长  沟道层  势垒层 层位 盖层 引入  

IPC专利分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/778(20060101)