文献类型：专利

专利类型：发明专利

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201310383588.9

申 请 日：20130829

发 明 人：王光绪 刘军林 江风益

申 请 人：南昌黄绿照明有限公司 南昌大学

申请人地址：330047 江西省南昌市高新区高新七路192号

公 开 日：20160413

公 开 号：CN103560193B

代 理 人：张文

代理机构：36100 江西省专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：本发明公开了一种低成本的垂直结构发光二极管芯片及其制备方法，其结构包括：基板层，生长衬底上的外延层被转移至所述基板层之上；基板层与外延层之间，由上至下依次有阻挡保护层、稀释保护层和黏结层；N电极位于外延层之上。它利用由多种金属或合金的叠层构成的稀释保护层和阻挡保护层，克服了低成本、低熔点金属作为黏结层材料存在的抗腐蚀能力差、扩散能力强等易破坏发光二极管结构及光电性能等问题，从而可代替贵金属作为热压黏合材料，一方面极大减低了垂直式发光二极管的制备成本，另一方面较低的热压温度及压力，减小热压自身的残余应力，使器件的光电性能和可靠性得到提高。本发明主要用于半导体发光器件上。

主 权 项：1.一种可降低成本的垂直结构发光二极管芯片，包括：基板层，基板层由依次从下至上的基板反面接触层、基板应力调制层、基板反面保护层、支撑基板、基板正面阻挡保护层和基板正面稀释保护层构成，其特征在于：在基板层的上面依次设有黏结层、p面保护层、p面欧姆接触金属层和外延层，p面保护层由依次从下至上的p面稀释保护层和p面阻挡保护层构成，外延层由依次从下至上的p型半导体层、发光活性层、n型半导体层和缓冲层构成，n电极位于n型半导体层之上。

关 键 词：基板层  外延层  阻挡保护层  光电性能  保护层 低成本  黏结层  稀释  垂直结构发光二极管  垂直式发光二极管  半导体发光器件 发光二极管结构  低熔点金属  抗腐蚀能力 贵金属  残余应力  扩散能力  热压温度 热压黏合  生长衬底  由上至下  制备方法  易破坏  减低  叠层  减小  强等  热压 一种  制备  合金  芯片  金属  转移  构成  克服  公开  自身  

IPC专利分类号：H01L33/44(20100101);H01L33/48(20100101);H01L33/00(20100101)