文献类型：期刊文章

作　　者：徐帅[1] 王光绪[1,2] 吴小明[1,2] 郭醒[1,2] 刘军林[1,2] 江风益[1]

XU Shuai;WANG Guang-xu;WU Xiao-ming;GUO Xing;LIU Jun-lin;JIANG Feng-yi(National Institute of LED on Silicon Substrate,Nanchang University,Nanchang 330096,China;Nanchang Yellow and Green Lighting Corporation,Nanchang 330096,China)

机构地区：[1]南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,江西南昌330096 [2]南昌黄绿照明有限公司,江西南昌330096

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金(61604066);国家自然科学基金重点项目(61334001,21405076,11604137,11674147,51602141)资助;国家重点研发计划(2016YFB0400600,2016YFB0400601)~~

年　　份：2019

卷　　号：40

期　　号：7

起止页码：865-870

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用“牺牲Ni处理”的方法研究了Ni对Ag/p-GaN界面接触性能的影响机理。利用传输线法(TLM)、紫外分光光度计、X射线光电子能谱(XPS)以及二次离子质谱仪(SIMS)等表征方式对Ag/p-GaN界面层光电性能进行了研究。结果表明,牺牲Ni处理后p-GaN表面仍会残留少量的Ni并以Ni2O3的形式存在;p-GaN表面Ga2p3结合能峰位朝低能方向移动了0.3eV,提高了Ag/p-GaN间的欧姆接触性能。我们认为,界面处的Ni会优先和p-GaN表面Ga2O3氧化物中的O结合形成Ni2O3,进而降低了p-GaN表面费米能级,提高了Ag/p-GaN之间的欧姆接触性能。

关 键 词：Ag/p-GaN接触  牺牲Ni处理  Ni插入层  表面费米能级  

分 类 号：O482.31] O484.4[物理学类]