西安理工大学电子工程系 
研究主题：全耗尽 英文 4H-SIC SIC 双栅
研究学科：电子信息类 自动化类
- 饰核瓷厚度比对IPS e.max全瓷冠透光度的研究
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- 《中国美容医学》西安交通大学口腔医院修复科;第四军医大学口腔医学院修复科;第四军医大学口腔医学院义齿加工中心;西安理工大学电子工程系;西安工程大学理学院 靳海立 贾骏 邓再喜 周秦 逯宜 臧源 李连碧 出版年：2015
- 关键词：透光度 厚度配比 IPS e.max铸瓷 全瓷冠
- 双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs的特性分析 ( EI收录)
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- 《Journal of Semiconductors》西安理工大学自动化学院电子工程系 高勇 孙立伟 杨媛 刘静 出版年：2008
- 关键词：双栅 双应变沟道 短沟道效应
- 薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化 ( EI收录)
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- 《Journal of Semiconductors》西安理工大学自动化学院电子工程系 刘梦新 高勇 张新 王彩琳 杨媛 出版年：2006
- 关键词：全耗尽 自加热效应 高温 瞬态特性 DSOI 互补金属-氧化物-半导体倒相器
- 超结与浮结型肖特基势垒二极管的比较研究(英文)
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- 《固体电子学研究与进展》西安理工大学自动化学院电子工程系 曹琳 蒲红斌 陈治明 出版年：2011
- 关键词：超结 浮结 肖特基势垒二极管 静态及动态特性
- Al掺杂6H-SiC铁磁性研究(英文)
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- 《固体电子学研究与进展》西安理工大学自动化学院电子工程系;西安工程大学应用物理系 臧源 李连碧 林生晃 曹琳 出版年：2013
- 关键词：6H-SIC AL掺杂 铁磁性
- SiGe SOI CMOS特性分析与优化设计
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- 《微电子学》西安理工大学自动化学院电子工程系 高勇 黄媛媛 刘静 出版年：2007
- 关键词：全耗尽SOI SIGE CMOS 迁移率 驱动电流
- 700V 4H-SiC晶闸管开通特性的模拟研究(英文)
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- 《固体电子学研究与进展》西安理工大学自动化学院电子工程系 臧源 蒲红斌 曹琳 李连碧 出版年：2012
- 关键词：4H-SiC晶闸管 开通特性 场开通机制
- 浮结型碳化硅肖特基势垒功率二极管的优化设计
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- 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 2008蒲红斌 曹琳 陈治明 任杰 出版年：2008
- 关键词：浮结型碳化硅 肖特基势垒 半经验模型 正向导通压降
- β-ＳｉＣ薄膜材料的ＳＥＭ研究
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- 第一届全国扫描电子显微学会议 1999张志勇 赵武 王雪文 陈治明 出版年：1999
- 关键词：β-ＳｉＣ薄膜材料 扫描电镜应用
- 基于带通采样的正交数字下变频方法研究
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- 中国改革开放30年暨博士后科学论坛 2008刘高辉 张修社 许世荣 李英军 范文新 高勇 出版年：2008
