文献类型：期刊文章

作　　者：高勇[1] 黄媛媛[1] 刘静[1]

机构地区：[1]西安理工大学自动化学院电子工程系,西安710048

出　　处：《微电子学》

基　　金：西安-应用材料创新基金资助项目(XA-AM-200514)

年　　份：2007

卷　　号：37

期　　号：5

起止页码：619-623

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于全耗尽SOI CMOS工艺,建立了具有Si Ge沟道的SOI MOS器件结构模型,并利用ISE TCAD器件模拟软件,对Si Ge SOI CMOS的电学特性进行模拟分析。结果表明,引入Si Ge沟道可极大地提高PMOS的驱动电流和跨导(当Ge组分为0.3时,驱动电流提高39.3%,跨导提高38.4%),CMOS电路的速度显著提高;在一定的Ge总量下,改变Ge的分布,当沟道区呈正向递减式分布时,电路速度最快。

关 键 词：全耗尽SOI SIGE CMOS 迁移率 驱动电流

分 类 号：TN432] TN304.24