文献类型：期刊文章

作　　者：刘梦新[1] 高勇[1] 张新[1] 王彩琳[1] 杨媛[1]

机构地区：[1]西安理工大学自动化学院电子工程系,西安710048

出　　处：《Journal of Semiconductors》

年　　份：2006

卷　　号：27

期　　号：6

起止页码：1120-1124

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：20063510091962)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在300～600K温度范围内,利用ISETCAD模拟软件对全耗尽SOI电路的温度特性进行了模拟分析,得到了较全面的SOICMOS倒相器静态特性和瞬态特性,并提出了一种改进的AlN DSOI结构.结果显示,SOICMOS电路的阈值电压对温度较为敏感,随着温度的升高,输出特性衰退明显.瞬态模拟也表明电路的速度和功耗受外界环境温度的影响较大.改进后的AlN DSOI结构在有效缓解SOI结构热效应和浮体效应的基础上,显著提高了电路的速度和驱动能力.

关 键 词：全耗尽 自加热效应 高温 瞬态特性 DSOI 互补金属-氧化物-半导体倒相器  

分 类 号：TN386]