文献类型：期刊文章

作　　者：高勇[1] 孙立伟[1] 杨媛[1] 刘静[1]

机构地区：[1]西安理工大学自动化学院电子工程系,西安710048

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：西安市应用材料创新基金资助项目(批准号:XA-AM-200514)~~

年　　份：2008

卷　　号：29

期　　号：2

起止页码：338-343

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS提高了43%,pMOS提高了67%;工作在双栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)与体Si沟道相比较,驱动电流的提高nMOS为31%,pMOS为60%.仿真结果表明,双栅模式比单栅模式有更为陡直的亚阈值斜率,更高的跨导以及更强的抑制短沟道效应的能力.综合国内外相关报道,该结构可以在现今工艺条件下实现.

关 键 词：双栅 双应变沟道  短沟道效应

分 类 号：TN386]