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中国电子科技集团公司第二十四研究所 收藏

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研究主题:集成电路    A/D转换器    CMOS    SIGE_HBT    模拟集成电路    

研究学科:电子信息类    自动化类    电气类    机械类    经济学类    

被引量:626H指数:9WOS: 13 EI: 27 北大核心: 278 CSCD: 240

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429 条 记 录,以下是 1-10

频率合成器技术发展动态
1
《微电子学》模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所西南集成电路设计公司 万天才  出版年:2004
 介绍了频率合成器的种类、技术发展动态;分析比较了国内外频率合成器的发展现状,并对我国频率合成器的发展提出了建议。
关键词:锁相环 锁相式频率合成器 直接数字频率合成器 VCO 相位噪声
基于虚拟仪器的高速混合信号自动测试系统设计 ( EI收录)
2
《仪器仪表学报》模拟集成电路重点实验室;中国电子科技集团重庆声光电有限公司 俞宙 李静 魏亚峰 骆才学  出版年:2016
传统半导体测试系统有两种组成形式,一种是基于台式分立仪器组建,通过GPIB等仪器控制总线连接,这种架构的好处是结构简单、组合与分拆方便,既可合起组成系统又可分立完成独立测试,但缺点是构架稳定性差、测量通道资源少、不易维护...
关键词:虚拟仪器 高速  自动测试  混合信号
一种新型无运放CMOS带隙基准电路
3
《微电子学》重庆邮电大学;模拟集成电路重点实验室 冯树 王永禄 张跃龙  出版年:2012
介绍了带隙基准原理和常规的带隙基准电路,设计了一种新型无运放带隙基准电路。该电路利用MOS电流镜和负反馈箝位技术,避免了运放的使用,从而消除了运放带隙基准电路中运放的失调电压和电源抑制比等对基准源精度的影响。该新型电路比...
关键词:带隙基准电压源 无运放基准源  启动电路
低噪声CMOS图像传感器技术研究综述
4
《半导体光电》中国电子科技集团重庆声光电有限公司;联合微电子中心有限责任公司;模拟集成电路重点实验室 刘嵘侃 邢德智 唐昭焕 徐炀  出版年:2020
文章总结了低噪声CMOS图像传感器代表性关键技术的最新研究进展。从CMOS图像传感器架构及各模块设计的角度,介绍了有源像素结构和图像传感器架构,分析了广泛采用的像素内源跟随CMOS图像传感器读出电路及其噪声等效模型,重点...
关键词:CMOS图像传感器 低噪声 相关多采样  模拟集成电路
SiGe HBT基区渡越时间模型 ( EI收录)
5
《西安电子科技大学学报》西安电子科技大学微电子所;模拟集成电路国家重点实验室 林大松 张鹤鸣 戴显英 孙建诚 何林  出版年:2001
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 ( 99JS0 9 1 1 DG10 4)
建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界...
关键词:异质结双极晶体管 锗化硅 HBT 基区渡越时间模型  
一种低温漂高电源抑制比带隙基准源的设计
6
《电子技术应用》重庆邮电大学光电工程学院;模拟集成电路重点实验室 青旭东 钟黎 王永禄 秦少宏 陈振中  出版年:2018
模拟集成电路重点实验室资助项目(6142802010101)
在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度。同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比。...
关键词:电压基准源 低温漂 高电源抑制比  
硅的深槽刻蚀技术研究
7
《微电子学》解放军后勤工程学院;模拟集成电路国家重点实验室 欧益宏 周明来 张正元  出版年:2004
 研究了采用等离子刻蚀机对硅进行深槽刻蚀中掩蔽层的选择及横向腐蚀的抑制等工艺问题。实验发现,以氟基气体作为工艺气体,铝或铝合金作为掩蔽层时,可以获得极高的选择比;通过增大射频功率,改变气体组分,气体流量等方法,可以较好地...
关键词:硅 深槽刻蚀技术  等离子刻蚀机  掩蔽层 氟基气体  各向异性
一种数控跳频滤波器电路的设计
8
《微电子学》模拟集成电路国家重点实验室;中国电子科技集团公司第二十四研究所 王斌 刘家树  出版年:2006
介绍了一种工作于超短波频段的数控跳频滤波器电路结构的设计。该数控跳频滤波器由数字控制电路和模拟滤波电路组成,输入调谐码通过可编程逻辑器件形成控制码,控制滤波器线性跳频。该滤波器具有跳频点数多、跳频速度快等优点,并在不同的...
关键词:滤波器 数控跳频滤波器  可编程逻辑器件
SiGe HBT基区渡越时间与基区Ge组分剖面优化 ( EI收录)
9
《西安电子科技大学学报》西安电子科技大学微电子所;模拟集成电路国家重点实验室 张鹤鸣 戴显英 林大松 孙建诚 何林  出版年:2000
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目!(99JS0 9 1 1 DZ0 1 0 4 )
建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,...
关键词:HBT 组分剖面  基区渡越时间 锗化硅
一种数字下变频抽取滤波器的设计
10
《微电子学》中国电子科技集团公司第二十四研究所;国家知识产权局专利审查协作中心;模拟集成电路重点实验室 兰金保 王娜 张瑞涛 刘林涛 李儒章  出版年:2011
国家自然科学基金资助项目(60906009)
对一个针对数字下变频应用的抽取滤波器从设计指标到版图实现的设计过程进行了详细介绍。该抽取滤波器实现了20倍的降采样,由CIC滤波器、CIC补偿滤波器和半带滤波器三级依次串联而成。通过利用抽取滤波器的等价变换和多项分解性质...
关键词:抽取滤波器 CIC滤波器 CIC补偿滤波器  半带滤波器
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