文献类型：期刊文章

作　　者：张鹤鸣[1] 戴显英[1] 林大松[1] 孙建诚[1] 何林[2]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071 [2]模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060

出　　处：《西安电子科技大学学报》

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目!(99JS0 9 1 1 DZ0 1 0 4 )

年　　份：2000

卷　　号：27

期　　号：3

起止页码：305-308

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2000095317530)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：建立了SiGeHBT基区渡越时间与基区Ge组分任意剖面分布的分析模型 ,模拟分析了它们之间的关系 ,得到了获得最小基区渡越时间的基区Ge组分剖面函数 .结果表明 ,优化的Ge组分剖面在基区从发射结处正比于 xα 增加 ,到x0 点时 ,Ge组分达峰值 ,并保持到收集结处 .α是大于 1的数 ,随基区中收集结侧相对发射结侧禁带变化量的增加而减小 ,x0

关 键 词：HBT 组分剖面  基区渡越时间 锗化硅

分 类 号：TN322.8]