文献类型：期刊文章

作　　者：林大松[1] 张鹤鸣[1] 戴显英[1] 孙建诚[1] 何林[2]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子所,陕西西安710071 [2]模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060

出　　处：《西安电子科技大学学报》

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 ( 99JS0 9 1 1 DG10 4)

年　　份：2001

卷　　号：28

期　　号：4

起止页码：456-461

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：建立了SiGeHBT基区渡越时间模型 .该模型考虑了电流密度及基区掺杂和Ge组分所引起的各种物理效应 ,适用于基区掺杂和Ge组分为均匀和非均匀分布 ,以及器件在小电流到大电流密度下的应用 .模拟结果表明 ,基区集电结边界处载流子浓度引起的基区附加延时对基区渡越时间有较大的影响 .

关 键 词：异质结双极晶体管 锗化硅 HBT 基区渡越时间模型  

分 类 号：TN322.8]