文献类型：期刊文章

作　　者：李骏[1] 王健安[2] 赖凡[1]

LI Jun;WANG Jian’an;LAI Fan(The24th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Chongqing400060,P.R.China;Science and Technology on Analog Integrated Circuit Laboratory,Chongqing400060,P.R.China)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060 [2]模拟集成电路国家重点实验室,重庆400060

出　　处：《微电子学》

基　　金：模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(614280205040617)

年　　份：2019

卷　　号：0

期　　号：4

起止页码：545-550

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：硅微电子技术的进步推动着雷达技术向着毫米波频段片上方向发展。片上雷达优良的性能和小型化优势使其在汽车及其他新领域获得越来越广泛的应用。阐述了基于SiGe BiCMOS和CMOS技术研制的几种主流硅毫米波片上雷达的电路结构、无源元件和封装技术,分析了其发展情况和面临的挑战,指出了片上毫米波雷达技术和应用的发展趋势。

关 键 词：毫米波 片上雷达  SIGE BICMOS CMOS  收发器 天线  

分 类 号：TN958]