文献类型：期刊文章

作　　者：青旭东[1,2] 钟黎[1,2] 王永禄[2] 秦少宏[1,2] 陈振中[1,2]

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065 [2]模拟集成电路重点实验室,重庆400060

出　　处：《电子技术应用》

基　　金：模拟集成电路重点实验室资助项目(6142802010101)

年　　份：2018

卷　　号：44

期　　号：1

起止页码：17-19

语　　种：中文

收录情况：DOAJ、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：在传统的电流模电压基准结构下,基于一阶补偿后的电压基准输出特性,设计了一个简单的高、低温补偿电路,在宽的温度范围内(-50~150℃),显著提高了电压基准的精度。同时,对电路进行简单的改进,输出电压获得了高的电源抑制比。对设计的电路采用TSMC 65 nm CMOS工艺模型进行仿真,在1.5 V的电源电压下,PSRR为-83.6 d B,温度系数为2.27 ppm/℃。

关 键 词：电压基准源 低温漂 高电源抑制比  

分 类 号：TN432]