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贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 收藏

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研究主题:磁控溅射    光学性质    电子结构    FESI    Β-FESI2    

研究学科:电子信息类    电气类    机械类    

被引量:94H指数:6WOS: 5 EI: 18 北大核心: 20 CSCD: 21

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32 条 记 录,以下是 1-10

Mg2Si晶体结构及消光特性的研究 ( EI收录 SCI收录)
1
《物理学报》贵州大学理学院 余志强 谢泉 肖清泉 赵珂杰  出版年:2009
国家自然科学基金(批准号:60566001,60766002);贵阳市科学技术计划(批准号:[2008]15-3)资助的课题~~
基于高能X射线的散射理论,研究了Mg2Si晶体的结构和消光特性.结果表明,Mg2Si晶体具有反萤石结构,当衍射指数H,K和L奇偶混合时其散射光就会出现系统消光,而当衍射指数H,K和L全为偶数或者全为奇数时,其散射光就会出...
关键词:散射理论 消光特性  反萤石结构  衍射
Al掺杂浓度对CrSi_2电子结构及光学性质的影响 ( EI收录)
2
《光学学报》安顺学院物理与电子科学系;贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 闫万珺 周士芸 谢泉 郭本华 张春红 张忠政  出版年:2012
国家自然科学基金(60766002);科技部国际合作重点项目(2008DFA52210);贵州省科技厅自然科学基金(黔科合J字[2010]2001);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字(2011)3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金(黔科合人才团队(2011)4002)资助课题
采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对不同Al掺杂浓度CrSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算表明:Al掺杂使得CrSi2的晶格常数a和b增大,c变化不大,晶格体积增大;...
关键词:光学材料 CrSi2  电子结构 光学性质 掺杂 第一性原理
应力调制下β-FeSi_2电子结构及光学性质 ( EI收录)
3
《光学学报》安顺学院物理与电子科学系;贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 闫万珺 张春红 桂放 张忠政 谢泉 郭本华 周士芸  出版年:2013
国家自然科学基金(61264004);贵州省科技厅自然科学基金(黔科合J字[2009]2055;[2010]2001);贵州省教育厅科研项目(黔高教发[2011]278);贵州省教育厅功能材料与资源化学特色重点实验室;贵州省教育厅航空电子电气与信息网络工程中心
采用第一性原理赝势平面波方法对应力调制下β-FeSi2的电子结构及光学性质进行了计算,全面分析了应力对β-FeSi2能带结构、电子态密度和光学性质的影响。在各向同性应力的作用下,压缩晶格使β-FeSi2的导带向高能区漂移...
关键词:材料  Β-FESI2 电子结构 光学性质 应力 第一性原理
Co掺杂β-FeSi_2电子结构及光学性质的第一性原理研究 ( EI收录)
4
《光学学报》安顺学院物理与电子科学系;贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 闫万珺 周士芸 谢泉 桂放 张春红 郭笑天  出版年:2011
国家自然科学基金(60566001;60766002);科技部国际合作重点项目(2008DFA52210);贵州省科技厅自然科学基金[黔科合J字(2009)2055;黔科合J字(2010)2001];贵州省教育厅自然科学基金(黔教科2008082)资助课题
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对不同Co含量的β-FeSi2的能带结构,态密度、分态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算结果表明,Co掺杂使得β-FeSi2的晶格常数a增大,b和c变...
关键词:材料  Β-FESI2 电子结构 光学性质 掺杂 第一性原理
Mg_2Si半导体薄膜的热蒸发制备 ( EI收录)
5
《功能材料》贵州大学理学院 余宏 谢泉 肖清泉 陈茜  出版年:2013
国家自然科学基金资助项目(61264004);贵州省科技攻关资助项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金资助项目(黔科合人才团队[2011]4002);贵州省国际科技合作资助项目(黔科合外G字[2012]7004);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2323号);贵州省青年英才培养工程资助项目(黔省专合字(2012)152号);贵州省教育厅“125”重大科技专项资助项目(黔教合重大专项字[2012]003);贵州大学引进人才科研资助项目(贵大人基合字(2010)032号)
采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1~10-2Pa氛围400℃退火,退...
关键词:Mg2Si薄膜  热蒸发 退火时间 择优生长  
Sc掺杂正交相Ca_2Si电子结构及光学性质的第一性原理
6
《光谱实验室》铜仁学院物理与电子科学系;贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 冉耀宗 高冉 黄浦 谢泉 陈茜 丰云  出版年:2012
贵州大学研究生创新基金资助(校研理工2011001);国家自然科学基金项目(60766002);科技部国际合作专项项目(2008DFA52210);贵州省科技攻关项目[黔科合GY字(2011)3015];贵州省科技创新人才团队建设专项资金[黔科合人才团队(2011)4002]
采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法,对块体及掺Sc的正交相Ca2Si的电子结构和光学性质进行了系统计算。计算结果表明,掺Sc后的Ca2Si能带向低能端偏移,形成n型半导体,正交相结构能隙变为0.60...
关键词:Ca2Si  正交相  掺杂 电子结构 光学性质 第一性原理
β-FeSi_2/Si异质结的制备及性质研究 ( EI收录)
7
《功能材料》贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 郑旭 张晋敏 熊锡成 张立敏 赵清壮 谢泉  出版年:2012
贵州省优秀科技人才省长基金资助项目(黔省专合字[2011]40号);贵州省国际合作资助项目(黔科合外G字[2009]700113);贵州大学引进人才资助项目(贵大人基合字[2009]002号);贵州省自然科学基金资助项目(黔科合J字[2008]2002);科技部国际合作专项资助项目(2008DFA52210);贵州省科技攻关资助项目(黔科合GY字(2011)3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金资助项目(黔科合人才团队(2011)4022);贵阳市科技局大学生创业资金资助项目([2010]筑科成大合同字4-1号03)
采用直流磁控溅射和真空退火方法制备β-FeSi2/Si异质结,首先在n型Si(100)衬底上沉积Fe膜,经真空退火形成β-FeSi2/Si异质结,Fe膜厚度约238nm,退火后形成的β-FeSi2薄膜厚度约为720nm。...
关键词:磁控溅射 β-FeSi2/Si异质结  输运性质
Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg_2Si半导体薄膜 ( EI收录)
8
《功能材料》贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 肖清泉 谢泉 沈向前 张晋敏 陈茜  出版年:2013
国家自然科学基金资助项目(61264004);贵州省科技攻关资助项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金资助项目(黔科合人才团队[2011]4002);贵州省国际科技合作资助项目(黔科合外G字[2012]7004);贵阳市科技计划资助项目(筑科合同[2012101]2-16);贵州大学引进人才科研资助项目(贵大人基合字[2010]032);贵州大学引进人才科研资助项目(单一相Mg2Si半导体薄膜的制备技术及其光学;电学性质研究[2012]);贵州省自然科学基金资助项目(黔科合J字[2011]2323);贵州省青年英才培养工程资助项目(黔省专合字[2012]152)
采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1~10-2Pa)条件下热处理温度(35...
关键词:半导体薄膜 MG2SI 磁控溅射 热处理  表征  
高能球磨法制备Fe_3Si合金粉末 ( EI收录)
9
《材料导报》贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所 陈站 张晋敏 赵青壮 朱培强 郑旭 谢泉  出版年:2012
科技部国际合作重点项目(2008DFA52210);贵州省自然科学基金(黔科合J字[2008]2002);贵州省国际合作项目(黔科合G字[2009]700113);贵阳市科技局大学生项目([2010]筑科计合同);贵州大学引进人才项目(贵大人基合字[2009]002)
采用高能球磨法研究了原子配比Fe75Si25的混合粉末在不同的球磨条件下的机械合金化,用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)表征样品的物相、晶体结构、晶粒尺寸和点阵常数,分析了Fe75Si25粉末的机械合金化...
关键词:高能球磨法 机械合金化 饱和固溶体  
狭义相对论下电子自旋轨道耦合对X射线光谱的影响 ( EI收录 SCI收录)
10
《物理学报》贵州大学理学院 余志强 谢泉 肖清泉  出版年:2010
国家自然科学基金(批准号:60566001;60766002);科技部国际合作专项基金(批准号:2008DFA52210);贵州省信息产业厅基金(批准号:0831);贵阳市科学技术计划(批准号:[2008]15-3)资助的课题~~
基于狭义相对论的基本观点,研究了特征X射线的产生机理,分析了电子自旋轨道耦合对特征X射线波长的影响,导出了一个计算特征X射线波长的公式,同时对计算推导的波长值做了系统的误差分析,得到了相对误差的规律.结果表明,计算推导的...
关键词:狭义相对论 特征X射线  自旋轨道耦合 误差分析
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