文献类型：期刊文章

作　　者：余宏[1] 谢泉[1] 肖清泉[1] 陈茜[1]

机构地区：[1]贵州大学理学院,新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61264004);贵州省科技攻关资助项目(黔科合GY字[2011]3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金资助项目(黔科合人才团队[2011]4002);贵州省国际科技合作资助项目(黔科合外G字[2012]7004);贵州省科学技术基金资助项目(黔科合J字[2011]2323号);贵州省青年英才培养工程资助项目(黔省专合字(2012)152号);贵州省教育厅“125”重大科技专项资助项目(黔教合重大专项字[2012]003);贵州大学引进人才科研资助项目(贵大人基合字(2010)032号)

年　　份：2013

卷　　号：44

期　　号：8

起止页码：1204-1207

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20132616454031)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用电阻式热蒸发方法和退火工艺制备出了Mg2Si半导体薄膜。研究了退火时间对Mg2Si薄膜的形成和结构的影响。首先在Si(111)衬底上沉积380nm Mg膜,然后在退火炉低真空10-1～10-2Pa氛围400℃退火,退火时间分别为3、4、5、6和7h。通过X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)和拉曼光谱仪对薄膜的结构、形貌和光学性质进行了表征。结果表明,采用电阻式热蒸发方法成功地制备了半导体Mg2Si薄膜,Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。最强衍射峰出现在40.12°位置,随着退火时间的延长,Mg2Si(220)衍射峰强度先逐渐变强后变弱,退火4h时该峰强度最强。在256和690cm-1附近有两个Mg2Si拉曼特征峰,退火时间为4和7h时,256cm-1附近Mg2Si拉曼特征峰较强。

关 键 词：Mg2Si薄膜  热蒸发 退火时间 择优生长  

分 类 号：TN304.2] TG156.23]