文献类型：期刊文章

作　　者：闫万珺[1,2] 周士芸[1] 谢泉[2] 郭本华[1] 张春红[1] 张忠政[1]

机构地区：[1]安顺学院物理与电子科学系,贵州安顺561000 [2]贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(60766002);科技部国际合作重点项目(2008DFA52210);贵州省科技厅自然科学基金(黔科合J字[2010]2001);贵州省科技攻关项目(黔科合GY字(2011)3015);贵州省科技创新人才团队建设专项资金(黔科合人才团队(2011)4002)资助课题

年　　份：2012

卷　　号：32

期　　号：5

起止页码：163-171

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20122715199812)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用基于第一性原理的赝势平面波方法,对不同Al掺杂浓度CrSi2的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行了计算和比较。几何结构和电子结构的计算表明:Al掺杂使得CrSi2的晶格常数a和b增大,c变化不大,晶格体积增大;Cr(Si1-xAlx)2仍然是间接带隙半导体,掺杂使得费米面向价带移动,且随着掺杂量的增大而更深地嵌入价带中,费米能级附近的电子态密度主要由Cr的3d态电子贡献。光学性质计算表明,随着掺杂量的增大,Cr(Si1-xAlx)2的静态介电常数、第一介电峰、折射率n0逐渐增大,平均反射效应减弱,表明Al掺杂有效增强了CrSi2对光的吸收,能够提高其光电转换效率。计算结果为CrSi2光电材料的应用和设计提供了理论指导。

关 键 词：光学材料 CrSi2  电子结构 光学性质 掺杂 第一性原理

分 类 号：O474] O481.1[物理学类]