文献类型：期刊文章

作　　者：闫万珺[1,2] 张春红[1] 桂放[1] 张忠政[1] 谢泉[2] 郭本华[1] 周士芸[1]

机构地区：[1]安顺学院物理与电子科学系,贵州安顺561000 [2]贵州大学理学院新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(61264004);贵州省科技厅自然科学基金(黔科合J字[2009]2055;[2010]2001);贵州省教育厅科研项目(黔高教发[2011]278);贵州省教育厅功能材料与资源化学特色重点实验室;贵州省教育厅航空电子电气与信息网络工程中心

年　　份：2013

卷　　号：33

期　　号：7

起止页码：243-249

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20133516670602)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用第一性原理赝势平面波方法对应力调制下β-FeSi2的电子结构及光学性质进行了计算,全面分析了应力对β-FeSi2能带结构、电子态密度和光学性质的影响。在各向同性应力的作用下,压缩晶格使β-FeSi2的导带向高能区漂移,带隙变宽,拉伸晶格使导带向低能区漂移,带隙变窄,且当拉伸应力增加到-25GPa时,费米能级穿过了价带和导带,β-FeSi2由半导体变成了导体;压缩晶格会使各光学参数发生蓝移,增大β-FeSi2的吸收系数和光电导率,降低反射率,而拉伸晶格会导致红移,增大静态介电常数,折射率n0和反射率,降低吸收系数。施加应力可以调节β-FeSi2的电子结构和光学性质,是改变和控制β-FeSi2的光电传输性能的有效手段。

关 键 词：材料  Β-FESI2 电子结构 光学性质 应力 第一性原理

分 类 号：O481.1] O472.3[物理学类]