登录    注册    忘记密码

厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室 收藏

导出分析报告

研究主题:锗    高性能    气体传感    CDZNTE晶体    CDZNTE    

研究学科:电子信息类    机械类    自动化类    

被引量:12H指数:2WOS: 6 EI: 7 北大核心: 12 CSCD: 9

-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一机构
结果分析中...
排序方式:

14 条 记 录,以下是 1-10

高性能SOI基GePIN波导光电探测器的制备及特性研究 ( EI收录)
1
《物理学报》厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室;厦门工学院电子信息工程系;厦门大学物理系半导体光子学研究中心 王尘 许怡红 李成 林海军  出版年:2017
厦门理工学院2016年上半年校高层次人才科技类项目(批准号:YKJ16012R)资助的课题~~
本文报道了在SOI衬底上外延高质量单晶Ge薄膜并制备高性能不同尺寸Ge PIN波导光电探测器.通过采用原子力显微镜、X射线衍射、拉曼散射光谱表征外延Ge薄膜的表面形貌、晶体质量以及应变参数,结果显示外延Ge薄膜中存在约0...
关键词:外延  波导 光电探测器
双轴向应变对单层GeSe气体传感特性的影响 ( EI收录)
2
《物理学报》厦门理工学院光电与通信工程学院;杭州电子科技大学电子信息学院 卢群林 杨伟煌 熊飞兵 林海峰 庄芹芹  出版年:2020
浙江省公益技术应用研究计划项目(批准号:LGG19F040003);国家自然科学基金(批准号:61704040);福建省自然科学基金(批准号:2016J01684,2018J01568);福建省中青年教师教育科研项目(批准号:JAT190671)资助的课题.
采用第一性原理计算方法,通过在吸附了H2,H2O,CO,NH3,NO,NO2等气体分子的单层GeSe上施加–8%—8%的双轴向应变,从微观角度阐明应变对吸附体系电子性质的影响及其内在机理.计算结果表明,对于CO,NH3和...
关键词:气体传感 应变  单层GeSe  第一性原理
氧气退火温度对室温脉冲激光沉积氧化镓薄膜特性的影响 ( EI收录)
3
《光学学报》厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室;大叶大学材料科学与工程学院 王尘 张宇超 范伟航 李世韦 张小英 林海军 连水养 朱文章  出版年:2022
国家自然科学基金(61904155,51702271);福建省自然科学基金(2018J05115,2020H0025,2020J01298,2020J05239);厦门科技计划项目(3502ZCQ20191002);厦门市留学人员科研项目(5010320004)、厦门理工学院高层次人才项目(YKJ19001R,30319003,0105-50419030);福建省科学技术协会、福建省集成电路与系统科技经济融合平台。
高质量氧化镓薄膜的获得是实现高性能氧化镓电子和光电子器件的重要前提条件之一。采用脉冲激光沉积技术,在室温下蓝宝石衬底上沉积氧化镓薄膜,并在氧气氛围下进行不同温度的退火,研究氧化镓薄膜特性的变化规律。结果表明:室温下沉积的...
关键词:薄膜  氧化镓薄膜  脉冲激光沉积 氧气退火温度  薄膜特性  
硅缓冲层提高选区外延生长硅基锗薄膜质量
4
《半导体技术》厦门工学院电子与电气工程学院;厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室;厦门大学物理系半导体光子学研究中心 许怡红 王尘 陈松岩 李成  出版年:2019
福建省自然科学基金资助项目(2018J05115);厦门理工学院高层次人才资助项目(YKJ16012R)
研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO_2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、...
关键词:硅缓冲层  锗(Ge)  选区外延生长  超高真空化学气相沉积 退火  
掺Nd^(3+)混晶全固态激光器研究进展
5
《激光与红外》厦门理工学院光电与通信工程学院 崔琴 林洪沂 黄晓桦  出版年:2023
国家自然科学基金项目(No.11904304);福建省自然科学基金项目(No.2021J011217);福建省中青年教师教育科研项目(科技类)(No.JAT200459)资助。
基于钕离子掺杂(Nd^(3+))的石榴石激光增益介质,为固体激光器的发展带来了新的研究方向。本文结合相关工作,详细全面地叙述了近年来掺钕混晶全固态激光器在单波长激光输出、多波长激光输出和脉冲激光输出方面的研究现状。以Nd...
关键词:Nd∶LuYAG  Nd∶GdYAG  Nd∶GdLuAG  混晶全固态激光器  被动调Q
媒质所受磁场力和磁力矩的分析
6
《大学物理》厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室 骆超艺  出版年:2020
福建省中青年教师教育科研项目(JAT190678)资助。
指出现有方法计算磁力存在的问题.推导了作用于媒质的磁场力和磁力矩计算公式,可用于分析媒质在磁场作用下的形变和运动趋势,并给出应用实例.本文进一步完善麦克斯韦应力公式,在一定程度上弥补虚位移法的不足,同时为法拉第观点和等效...
关键词:磁场力 磁力矩 磁介质
能量法求解电磁力的理论基础
7
《物理与工程》厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室 骆超艺  出版年:2021
福建省中青年教师教育科研项目(JAT190678)。
为了证明磁场能公式适用于媒质运动的情况,在磁准静态条件下,推导了磁场力对运动媒质做的机械功率和感应电场对自由电流做的功率,验证磁场能量公式满足普遍情况下的功能关系。结果表明,对于磁各向同性的刚性媒质,磁场能与媒质运动和电...
关键词:虚位移法  电磁力 电磁功率 电磁能量  
提高单层GeSe对H_(2)O气体传感性能的第一性原理研究
8
《原子与分子物理学报》厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室;杭州电子科技大学电子信息学院智能微传感器与微系统教育部工程研究中心 庄芹芹 杨伟煌  出版年:2023
国家自然科学基金(61874091);浙江省自然科学基金(LGG19F040003);福建省中青年教师教育科研项目(JAT190671)。
采用第一性原理计算方法,通过在单层GeSe上施加双轴向应变、外加电场、掺Ag等途径来探索提高单层GeSe对H_(2)O分子传感性能的有效方法,并从微观角度阐明内在机理.计算结果表明,-1.0 V/的外加电场能有效降低H_...
关键词:单层GeSe  第一性原理计算 气体传感 应变  外加电场 掺Ag  
Au纳米颗粒结构参数优化制备高性能纳米晶存储器
9
《半导体技术》厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室;厦门大学物理科学与技术学院半导体光子学研究中心 许怡红 陈松岩 李成  出版年:2022
福建省教育厅科技项目(JAT200484);国家自然科学基金资助项目(61474081,61534005)。
高性能纳米晶存储器是下一代非易失性存储器的潜在候选者,而纳米颗粒结构参数严重影响纳米晶存储器的性能。结合射频磁控溅射和快速热退火技术制备了四组不同平均尺寸和数密度的Au纳米颗粒,颗粒平均尺寸为4.6~17.3 nm,数密...
关键词:金纳米颗粒 结构参数 存储窗口  高性能纳米晶存储器  存储层  
GW/cm^2量级飞秒脉冲倍频的宽谱谐波产生 ( EI收录)
10
《光学学报》厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室;西北工业大学理学院空间应用物理化学教育部重点实验室 黄章超 张文定 林洪沂 许英朝 沈汉鑫 阮剑剑 孙栋 王衡 朱文章  出版年:2017
国家自然科学基金(11404263,61675169,11304259);中央高校基本科研业务费专项资金(3102015ZY060);福建省自然科学基金(2016J01683);福建省中青年教师教育科研项目(JA15387);厦门理工学院科学技术研究项目(YKJ13035R)
使用含镁摩尔分数为5%的掺镁铌酸锂晶体对57.4fs脉冲在1550nm通信波段进行了Ⅰ型(o+o-e)和0型(e+e-e)的倍频对比实验。对于Ⅰ型倍频,在4.3GW/cm^2的峰值功率密度下得到了谱宽为28nm、脉宽为7...
关键词:超快光学 Ⅰ型倍频  飞秒脉冲 群速度匹配  掺镁铌酸锂  
已选条目 检索报告 聚类工具

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心