文献类型：期刊文章

作　　者：许怡红[1] 王尘[2] 陈松岩[3] 李成[3]

Xu Yihong;Wang Chen;Chen Songyan;Li Cheng(School of Electronics and Electrical Engineering, Xiamen Institute of Technology, Xiamen 361021, China;Fujian Provincial Key Laboratory of Optoelectronic Technology and Devices, School of Opti-Electronic and Communication Engineering, Xiamen University of Technology Xiamen 361024, China;Semiconductor Photonics Research Center, Department of Physics, Xiamen University Xiamen 361005, China)

机构地区：[1]厦门工学院电子与电气工程学院,福建厦门361021 [2]厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室,福建厦门361024 [3]厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门361005

出　　处：《半导体技术》

基　　金：福建省自然科学基金资助项目(2018J05115);厦门理工学院高层次人才资助项目(YKJ16012R)

年　　份：2019

卷　　号：44

期　　号：4

起止页码：297-301

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响。利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO_2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)表征了Ge薄膜的晶体质量和表面形貌。测试结果表明,选区外延Ge薄膜的晶体质量比无图形衬底外延得到薄膜的晶体质量要高;选区外延Ge薄膜前插入Si缓冲层得到Ge薄膜具有较低的XRD曲线半高宽以及表面粗糙度,位错密度低至5.9×10~5/cm^2,且薄膜经过高低温循环退火后,XRD曲线半高宽和位错密度进一步降低。通过插入Si缓冲层可提高选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量,该技术有望应用于Si基光电集成。

关 键 词：硅缓冲层  锗(Ge)  选区外延生长  超高真空化学气相沉积 退火  

分 类 号：TN304.054]