期刊文章详细信息
银/铜双原子MACE法制备单晶黑硅 ( EI收录)
Preparation of monocrystalline black silicon by Ag and Cu dually assisted chemical etching
文献类型:期刊文章
HUANG Yan-hua;ZHANG Zi-qi;CHEN Song-yan;ZHANG Xiao-ying(Chengyi University College,Jimei University,Xiamen 361021,China;Fujian Provincial Key Laboratory of Semiconductors and Applications,Collaborative Innovation,Center for Optoelectronic Semiconductors and Efficient Devices,Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;School of Opto-electronic and Communication Engineering,Fujian Provincial Key Laboratory of Optoelectronic Technology and Devices,Xiamen University of Technology,Xiamen 361024,China)
机构地区:[1]集美大学诚毅学院,福建厦门361021 [2]厦门大学物理系半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心,福建厦门361005 [3]厦门理工学院光电与通信工程学院,福建省光电技术与器件重点实验室,福建厦门361024
基 金:国家自然科学基金(61534005);福建省中青年教师教育科研项目(JAT191150);江西省自然科学基金(20192ACBL20048);福建省教育厅科技计划(JT180432)资助项目。
年 份:2020
卷 号:31
期 号:9
起止页码:987-993
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊
摘 要:本文采用两步Ag/Cu双原子金属辅助化学腐蚀(MACE)法,在25℃和50℃单晶硅表面制备纳米陷光结构。实验探讨了刻蚀时间和Ag/Cu原子的摩尔比对制备的黑硅表面结构形貌和反射率的影响,实验得到Ag/Cu双原子MACE法制备的的黑硅比Ag单原子和Cu单原子MACE法制备的黑硅具有更好的表面抗反射。这是由于Ag/Cu双原子的协同催化腐蚀,使得黑硅表面具有较为均匀分布的横向和竖向共存的复合孔洞结构。研究结果表明,纵横交错的复合孔洞结构具有良好的陷光效果,当Ag/Cu原子摩尔比为1∶5,腐蚀时间为10 min时,黑硅表面的反射率达到最低,为4%以下。而对于重掺硅衬底,Ag/Cu双原子辅助腐蚀得到的黑硅表面孔洞为均匀规整的倒金字塔结构,其反射率达到2%以下。
关 键 词:金属辅助化学腐蚀 银铜催化 黑硅 纳米结构 表面减反
分 类 号:O649]
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