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氧气退火温度对室温脉冲激光沉积氧化镓薄膜特性的影响 ( EI收录)
Effect of Oxygen Annealing Temperature on Properties of Ga_(2)O_(3) Thin Films Grown at Room Temperature by Pulsed Laser Deposition
文献类型:期刊文章
Wang Chen;Zhang Yuchao;Fan Weihang;Li Shiwei;Zhang Xiaoying;Lin Haijun;Lien Shuiyang;Zhu Wenzhang(Fujian Provincial Key Laboratory of Optoelectronic Technology and Devices,School of Opto-Electronic and Communication Engineering,Xiamen University of Technology,Xiamen,Fujian 361024,China;Department of Materials Science and Engineering,Da-Yeh University,Changhua,Taiwan 51591,China)
机构地区:[1]厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室,福建厦门361024 [2]大叶大学材料科学与工程学院,中国台湾彰化51591
基 金:国家自然科学基金(61904155,51702271);福建省自然科学基金(2018J05115,2020H0025,2020J01298,2020J05239);厦门科技计划项目(3502ZCQ20191002);厦门市留学人员科研项目(5010320004)、厦门理工学院高层次人才项目(YKJ19001R,30319003,0105-50419030);福建省科学技术协会、福建省集成电路与系统科技经济融合平台。
年 份:2022
卷 号:42
期 号:8
起止页码:255-262
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:高质量氧化镓薄膜的获得是实现高性能氧化镓电子和光电子器件的重要前提条件之一。采用脉冲激光沉积技术,在室温下蓝宝石衬底上沉积氧化镓薄膜,并在氧气氛围下进行不同温度的退火,研究氧化镓薄膜特性的变化规律。结果表明:室温下沉积的氧化镓薄膜为非晶态,随着退火温度的升高,薄膜结晶程度变高,禁带宽度变大;退火前后氧化镓薄膜中都存在两种氧化价态镓,说明薄膜处于晶格氧缺失的状态;随着退火温度的升高,低价态镓比例减少,晶格氧的比例增加,薄膜质量升高;然而,过高的退火温度导致衬底中的铝扩散进入薄膜,薄膜质量变差,室温下生长的薄膜质量较差且与衬底之间的热膨胀系数和晶格失配,导致氧化镓薄膜高温退火时出现开裂的现象。
关 键 词:薄膜 氧化镓薄膜 脉冲激光沉积 氧气退火温度 薄膜特性
分 类 号:O484]
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