文献类型：期刊文章

作　　者：庄芹芹[1] 杨伟煌[2]

ZHUANG Qin-Qin;YANG Wei-Huang(Fujian Key Laboratory of Optoelectronic Technology and Devices,School of Opto-electronic and Communication Engineering,Xiamen University of Technology,Xiamen 361024,China;Ministry of Education Engineering Research Center of Smart Microsensors and Microsystems,College of Electronics and Information,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,China)

机构地区：[1]厦门理工学院光电与通信工程学院福建省光电技术与器件重点实验室,厦门361024 [2]杭州电子科技大学电子信息学院智能微传感器与微系统教育部工程研究中心,杭州310018

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(61874091);浙江省自然科学基金(LGG19F040003);福建省中青年教师教育科研项目(JAT190671)。

年　　份：2023

卷　　号：40

期　　号：4

起止页码：73-78

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、核心刊

摘　　要：采用第一性原理计算方法,通过在单层GeSe上施加双轴向应变、外加电场、掺Ag等途径来探索提高单层GeSe对H_(2)O分子传感性能的有效方法,并从微观角度阐明内在机理.计算结果表明,-1.0 V/的外加电场能有效降低H_(2)O分子在单层GeSe的吸附能并使二者之间的电荷转移量增加11倍,显著提高了单层GeSe对H_(2)O分子的响应速度和敏感性.研究结果为进一步设计并制成二维GeSe基湿度传感器提供了理论依据.

关 键 词：单层GeSe  第一性原理计算 气体传感 应变  外加电场 掺Ag  

分 类 号：O47]