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南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心 收藏

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研究主题:LED    MOCVD    GAN    硅衬底    氮化镓    

研究学科:电子信息类    机械类    电气类    自动化类    建筑类    

被引量:115H指数:5WOS: 10 EI: 38 北大核心: 53 CSCD: 49

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77 条 记 录,以下是 1-10

五基色LED照明光源技术进展
1
《照明工程学报》南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心;南昌黄绿照明有限公司 刘军林 莫春兰 张建立 王光绪 徐龙权 丁杰 李树强 王小兰 吴小明 潘拴 方芳 全知觉 郑畅达 郭醒 陈芳 江风益  出版年:2017
国家重点研发计划(批准号:2016YFB0400600);国家自然科学基金(批准号:61334001)
现有的白光LED是通过蓝光LED激发黄色荧光粉获得的,虽然其光电转换效率已远超白炽灯和日光灯,但其显色指数、色温和光效之间难以协调发展。采用多色高效率LED(红、黄、绿、青、蓝光)可合成低色温、高显色指数、高光效、对人眼...
关键词:五基色  高品质  LED照明 黄光LED  
MOCVD原位红外测温方法的比较研究
2
《应用光学》商洛学院化学工程与现代材料学院;陕西省尾矿资源综合利用重点实验室;南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心 杨超普 方文卿 刘明宝 周春生 张美丽  出版年:2016
国家863高科技研究发展计划资助项目(2011AA03A101);陕西省尾矿资源综合利用重点实验室开放基金项目(2014SKY-WK012)
MOCVD原位红外测温方法主要有单色辐射测温法与双波长比色测温法。利用薄膜等厚干涉模型与Kirchhoff定律计算了Si(111)衬底生长10μm GaN外延片的940nm、1 550nm光谱发射率,以Thomas Sw...
关键词:MOCVD 原位监测  红外测温 比较研究  
半导体黄光发光二极管新材料新器件新设备 ( EI收录)
3
《物理学报》南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心 江风益 刘军林 张建立 徐龙权 丁杰 王光绪 全知觉 吴小明 赵鹏 刘苾雨 李丹 王小兰 郑畅达 潘拴 方芳 莫春兰  出版年:2019
在可见光范围内,半导体发光二极管(LED)发展很不平衡,黄光 LED 光效(光功率效率)长期远低于其他颜色光效.本文基于 GaN/Si体系,从材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面进行了系统研究,解决了外延膜龟裂、...
关键词:SI INGAN 黄光  LED 金属有机物化学气相沉积
气氛及压强对MOCVD红外测温的影响
4
《商洛学院学报》商洛学院化学工程与现代材料学院/陕西尾矿资源综合利用重点实验室;南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心 杨超普 方文卿  出版年:2015
陕西省尾矿资源综合利用重点实验室开放基金项目(2014SKY-WK012)
利用自主搭建的可径向移动的940 nm单波长红外辐射测温仪,研究了Thomas Swan CCS MOCVD第二次Bake过程中,反应室在不同气氛(氢气、氮气以及氢氮混合气体)和不同压强(13.33-53.33 k Pa...
关键词:MOCVD 红外辐射测温  在线监测
MOCVD反应室温度均匀性的研究 ( EI收录)
5
《发光学报》南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心;南昌大学信息工程学院 徐龙权 方颂 唐子涵 刘新卫  出版年:2017
国家高技术研究发展计划(863)(2012AA041002);江西省科技厅重大科技专项(20114ABF06102)资助项目~~
为研究一种有效提高MOCVD反应室温度均匀性的方法,针对自主研发的大型立式MOCVD反应室,建立二维模型,就激励电流对反应室温度均匀性的影响进行了分析。为提高温度均匀性,通过改变不同电参数来观察磁场及石墨盘表面径向温度的...
关键词:MOCVD 感应加热  温度均匀性
AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响 ( EI收录)
6
《光学学报》南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心 刘军林 熊传兵 程海英 张建立 毛清华 吴小明 全知觉 王小兰 王光绪 莫春兰 江风益  出版年:2014
国家863计划(2011AA03A101;2012AA041002);国家自然科学基金(51072076);国家自然科学基金重点项目(61334001);国家自然科学基金地区科学基金(11364034);国家科技支撑计划(2011BAE32B01)
利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结...
关键词:薄膜  氮化镓 氮化铝插入层  硅衬底 黄带发光  
Zr元素对Cu-Cr-Y合金组织和性能的影响
7
《热加工工艺》南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心;南昌大学理学院 郭守晖 张萌 彭国印  出版年:2013
教育部长江学者与创新团队发展计划资助项目(IRT0730)
对添加微量Zr元素的Cu-0.8Cr-0.05Y(wt%)合金进行冷轧及时效处理,分析了各试样的显微组织、硬度及导电率,研究了热处理后该合金的时效行为。结果表明:适量Zr元素的加入,可细化合金的显微组织。Zr的加入可抑制...
关键词:CU-CR-ZR合金 显微组织 导电率
InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光发光二极管光电性能的影响 ( EI收录)
8
《物理学报》南昌大学;南昌大学材料科学与工程学院 齐维靖 张萌 潘拴 王小兰 张建立 江风益  出版年:2016
国家自然科学基金青年科学基金(批准号:21405076)资助的课题~~
采用有机金属化学气相沉积技术在Si(111)衬底上生长蓝光多量子阱发光二极管(LED)结构,通过在量子阱下方分别插入两组不同厚度的InGaN/GaN超晶格,比较了超晶格厚度对LED光电性能的影响.结果显示:随超晶格厚度增...
关键词:超晶格厚度  反向漏电 V形坑  应力弛豫
集成Ag基反射镜的GaN基LED薄膜芯片的静电失效演变 ( EI收录)
9
《光学学报》南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心 刘时彪 王光绪 吴小明 莫春兰 张建立  出版年:2020
国家自然科学基金(61604066、21405076,11604137,11674147,51602141);国家重点研发计划(2016YFB0400600.2016YFB0400601);中央引导地方基金(2018ZDD20003)。
对集成Ag基反射镜的垂直结构GaN基发光二极管(LED)薄膜芯片施加ESD(electro-static discharge)冲击,观察其静电失效的现象并对失效演变的过程进行研究。结果表明,LED芯片经过ESD冲击后,内...
关键词:光学器件 发光二极管  静电失效  ESD黑点  粗化面  Ag反射镜  
电子阻挡层Al组分对Si衬底GaN基黄光LED内量子效率的影响 ( EI收录)
10
《发光学报》南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心 胡耀文 高江东 全知觉 张建立 潘拴 刘军林 江风益  出版年:2019
国家重点研发计划项目(2016YFB0400600,2016YFB0400601);国家自然科学基金(11674147);江西省重点研发计划(20171BBE50052)资助项目~~
为了探究具有双层电子阻挡层设计的GaN基黄光LED中首层电子阻挡层(EBL-1)Al组分对内量子效率的影响以及其中载流子注入的主要物理机制,首先使用硅衬底GaN基黄光LED外延与芯片工艺,在外延过程中通过控制三甲基铝(T...
关键词:GAN 黄光LED  电子阻挡层 半导体仿真  
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