文献类型：期刊文章

作　　者：江风益[1] 刘军林[1] 张建立[1] 徐龙权[1] 丁杰[1] 王光绪[1] 全知觉[1] 吴小明[1] 赵鹏[1] 刘苾雨[1] 李丹[1] 王小兰[1] 郑畅达[1] 潘拴[1] 方芳[1] 莫春兰[1]

Jiang Feng-Yi;Liu Jun-Lin;Zhang Jian-Li;Xu Long-Quan;Ding Jie;Wang Guang-Xu;Quan Zhi-Jue;Wu Xiao-Ming;Zhao Peng;Liu Bi-Yu;Li Dan;Wang Xiao-Lan;Zheng Chang-Da;Pan Shuan;Fang Fang;Mo Chun-Lan(National Institute of LED on Si Substrate, Nanchang University, Nanchang 330096, China)

机构地区：[1]南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心

出　　处：《物理学报》

年　　份：2019

卷　　号：68

期　　号：16

起止页码：104-112

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在可见光范围内,半导体发光二极管(LED)发展很不平衡,黄光 LED 光效(光功率效率)长期远低于其他颜色光效.本文基于 GaN/Si体系,从材料生长、芯片制造、器件物理和专用装备等方面进行了系统研究,解决了外延膜龟裂、位错过多、量子阱应力过大、InGaN 黄光阱材料相分离、空穴浓度不足、阱材料生长温度过低、衬底吸光、电极挡光等问题,率先实现了高光效黄光LED关键性突破.所研制的黄光LED器件,在20 A/cm^2驱动下波长565 nm黄光LED光效达26.7%,对应164 lm/W;在1 A/cm^2驱动下波长577 nm黄光LED光效达 42.8%,对应 248 lm/W.基于高光效黄光 LED,开发了无荧光粉、多基色 LED照明新光源,实现了纯LED 照明光源在路灯、氛围灯等方面应用.

关 键 词：SI INGAN 黄光  LED 金属有机物化学气相沉积

分 类 号：TN312.8]