文献类型：期刊文章

作　　者：杨超普[1,2] 方文卿[3] 刘明宝[1,2] 周春生[1,2] 张美丽[1,2]

机构地区：[1]商洛学院化学工程与现代材料学院,陕西商洛726000 [2]陕西省尾矿资源综合利用重点实验室,陕西商洛726000 [3]南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,江西南昌330047

出　　处：《应用光学》

基　　金：国家863高科技研究发展计划资助项目(2011AA03A101);陕西省尾矿资源综合利用重点实验室开放基金项目(2014SKY-WK012)

年　　份：2016

卷　　号：37

期　　号：2

起止页码：297-302

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：MOCVD原位红外测温方法主要有单色辐射测温法与双波长比色测温法。利用薄膜等厚干涉模型与Kirchhoff定律计算了Si(111)衬底生长10μm GaN外延片的940nm、1 550nm光谱发射率,以Thomas Swan CSS MOCVD为例,比较了500℃至1 300℃范围内,940nm单色辐射测温法、1 550nm单色辐射测温法、940nm与1 550nm双波长比色测温法的相对误差和相对灵敏度,以及单色辐射测温法与双波长比色测温法的校准修正,并利用940nm与1 550nm双波长比色测温法在线监测了Si(111)衬底生长InGaN/GaN MQW结构LED外延片过程中的温度。研究表明:940nm与1 550nm双波长比色测温法在相对误差及有效探测孔径修正校准上优于940nm单色辐射测温法和1 550nm单色辐射测温法,该结论可为MOCVD原位红外测温设备开发提供参考。

关 键 词：MOCVD 原位监测  红外测温 比较研究  

分 类 号：TN305]