文献类型：期刊文章

作　　者：徐龙权[1,2] 方颂[2] 唐子涵[2] 刘新卫[2]

机构地区：[1]南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,江西南昌330047 [2]南昌大学信息工程学院,江西南昌330031

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家高技术研究发展计划(863)(2012AA041002);江西省科技厅重大科技专项(20114ABF06102)资助项目~~

年　　份：2017

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：220-225

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI(收录号：20171303511215)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为研究一种有效提高MOCVD反应室温度均匀性的方法,针对自主研发的大型立式MOCVD反应室,建立二维模型,就激励电流对反应室温度均匀性的影响进行了分析。为提高温度均匀性,通过改变不同电参数来观察磁场及石墨盘表面径向温度的变化,发现电参数与加热效率成正比,但是与加热的均匀性成反比关系;在相同功率下,电流频率上升将导致温度均匀性下降。以上关系中反映出的合理的电参数,在保证反应温度的同时,保证了温度均匀性,有利于薄膜生长。

关 键 词：MOCVD 感应加热  温度均匀性

分 类 号：TN305]