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北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室 收藏

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研究主题:碳纳米管    CMOS    碳基    集成电路    石墨烯    

研究学科:电子信息类    机械类    电气类    自动化类    

被引量:56H指数:5WOS: 6 EI: 6 北大核心: 10 CSCD: 11

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33 条 记 录,以下是 1-10

一种与光镊结合的显微拉曼光谱技术 ( EI收录)
1
《光学学报》北京大学信息科学与技术学院;北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室;北京大学前沿交叉学科研究院 张勇 叶安培 闻丞  出版年:2010
国家自然科学基金(10674008)资助课题
论述了一种与光镊结合的显微拉曼光谱即"光镊-显微拉曼光谱"系统的构建方案。给出了利用该系统测得的活细胞(大白鼠血细胞,酵母细胞)的微区拉曼光谱,并将红外光镊束缚下的Ar+激光激发的血细胞的拉曼光谱,与用单一Ar+激光光镊...
关键词:显微拉曼光谱 激光光镊  光镊-拉曼光谱系统  活细胞拉曼光谱  单壁碳纳米管拉曼光谱  
基于表面等离激元薄膜太阳能电池陷光特性的研究
2
《激光与光电子学进展》哈尔滨理工大学电介质工程国家重点实验室培育基地;哈尔滨理工大学电子科学与技术系;北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室 王玥 王暄 李龙威  出版年:2015
国家自然科学基金(61201075);中国博士后面上项目(2012M511507);黑龙江省自然科学基金(F2015039);黑龙江省电介质工程国家重点实验室培育基地前沿预研基金项目(DE2012B05);哈尔滨理工大学青年拔尖创新人才培养计划资助课题(201302);黑龙江省教育厅青年学术骨干支持计划项目(1254G021);科学技术项目(12521110)
采用有限积分法分析了可见光入射薄膜太阳能电池时,电池中金属纳米栅与半导体界面的场分布与能流密度分布,并结合实际太阳光谱分布,提出一种分析太阳能电池陷光能力的计算方法。利用该方法对金、银、铜、铝金属纳米栅的形状与几何参数变...
关键词:表面光学 表面等离激元 栅格 太阳能电池
后摩尔时代的碳基电子技术:进展、应用与挑战 ( EI收录)
3
《物理学报》北京大学 刘一凡 张志勇  出版年:2022
国家重点研发计划(资助号:2016YFA0201901)资助的课题.
近六十年来,以硅为核心材料的半导体技术,特别是CMOS集成电路技术推动了人类信息社会的深刻变革,但也逐渐接近其物理极限和工程极限,全球半导体产业已经进入后摩尔时代.半导体性碳纳米管具有高迁移率、超薄体等诸多优异的电学特性...
关键词:碳纳米管 碳基电子技术  CMOS 晶体管 集成电路
微球透镜超分辨成像研究进展与发展前景
4
《激光与光电子学进展》北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室 刘畅 金璐頔 叶安培  出版年:2016
高等学校博士学科点专项科研基金(20120001110093);微生物资源前期开发国家重点实验室开放课题基金
受衍射极限的限制,传统光学显微镜的分辨率只能达到入射光波长的一半。超分辨显微镜已有很多,但制作工艺复杂,适用样品有限,对成像条件要求苛刻,因此应用受到很多限制。研究表明,将直径为几微米至几十微米的透明电介质微球置于样品表...
关键词:成像系统 超分辨成像 微球透镜  光子纳米喷射效应  生物成像
整齐排列的氧化锌纳米针阵列的场发射性能 ( EI收录 SCI收录)
5
《物理学报》北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室 肖竞 柏鑫 张耿民  出版年:2008
国家自然科学基金(批准号:90606023,60771004);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA05Z107)资助的课题~~
采用简单的热蒸发方法,不使用任何催化剂,在硅基底上制备出了两种垂直于基底、整齐排列的氧化锌纳米针阵列.它们具有均匀的分布以及一致的取向和高度.场发射性能研究表明它们同时具有较低的开启和阈值场强,稳定的发射电流和长时间维持...
关键词:氧化锌 热蒸发 阵列场发射  屏蔽效应
电子束纳米焊接与纳米切割
6
《电子显微学报》北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室北京大学电子学系 许胜勇  出版年:2007
NSF基金(Grant No.DMR-0213623)资助.
对小到1nm大到100nm的"纳米尺度",目前并没有成熟的原位物理加工技术。我们演示高强度电子束技术在纳米尺度上应用于原位物理加工的潜力,将高亮度场发射透射电子显微镜的电子束汇聚到直径1nm左右,可得到强度为106A/c...
关键词:纳米焊接  纳米切割  高强度电子束  
碳基CMOS集成电路技术:发展现状与未来挑战
7
《中国科学:化学》北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室与碳基电子学研究中心 刘晨晨 张志勇  出版年:2021
国家重点研发计划纳米专项(资助号:2016YFA0201901)资助项目。
碳纳米管凭借其优良的电学性质、准一维尺寸以及稳定的结构成为后摩尔时代最理想的半导体材料.目前碳基电子学已经取得很大进展,例如可以在4寸晶圆上得到高半导体纯度(超过99.9999%)的密排(100~200 CNTs/μm)...
关键词:碳纳米管 CMOS晶体管 集成电路 纳米电子学
微纳器件热传导中的基础物理问题
8
《物理》北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室 北京大学电子学系 张刚 黄少云  出版年:2013
国家自然科学基金(批准号:11274011;11274021);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB933001);教育部博士点基金(批准号:20110001120133)资助项目
纳米功能器件中的温度控制已经成为世界各国迫切需要解决的关键技术。在文章中,作者简单回顾了纳米器件发展的历程和现状;以碳纳米管和石墨烯为例,重点介绍了纳米尺度热传导研究中的一些基础物理问题,以及近年来该领域中一些热点研究方...
关键词:微纳器件  热传导 热导率 热扩散 碳纳米管 石墨烯
石墨烯的量子电容
9
《物理》北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室、北京大学电子学系 邱晨光 徐慧龙 张志勇 彭练矛  出版年:2012
国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB933001;2011CB933002)资助项目
量子电容在半导体纳米材料和器件中是一个日趋重要的参数,测量和提取石墨烯的量子电容,不仅可以得到石墨烯的重要物理性质,而且对石墨烯晶体管的尺寸缩减行为具有重要指导意义.文章中采用简单工艺在石墨烯上制备出均匀超薄的高质量Y2...
关键词:石墨烯 量子电容  顶栅场效应晶体管  纵向缩减  Y2O3
两步边缘场电泳法制备短沟道高开关比碳纳米管薄膜晶体管 ( EI收录)
10
《科学通报》北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室 梁亦然 夏继业 梁学磊  出版年:2016
与现有的薄膜晶体管技术相比,碳纳米管薄膜晶体管(CNT—TFT)具有载流子迁移率高、稳定性好、加工温度低、工艺过程简单的优势,因而被认为在显示驱动背板、柔性电子器件及传感器等方面具有广泛的实用前景.通常CNT—TFT的制...
关键词:薄膜晶体管 材料制备  碳纳米管 开关比 短沟道 电泳法 边缘场  载流子迁移率
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