文献类型：期刊文章

作　　者：肖竞[1] 柏鑫[1] 张耿民[1]

机构地区：[1]北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京大学电子系,北京100871

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:90606023,60771004);国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA05Z107)资助的课题~~

年　　份：2008

卷　　号：57

期　　号：11

起止页码：7057-7062

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20085111788709)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000260946500056)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000260946500056)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用简单的热蒸发方法,不使用任何催化剂,在硅基底上制备出了两种垂直于基底、整齐排列的氧化锌纳米针阵列.它们具有均匀的分布以及一致的取向和高度.场发射性能研究表明它们同时具有较低的开启和阈值场强,稳定的发射电流和长时间维持发射的能力.较低的开启和阈值场强来源于它们较高的长径比和较细的尖端;稳定发射电流和长时间维持发射的能力来源于它们在基底上均匀一致的分布以及由于较粗的根部带来的与基底的良好接触.实验结果表明整齐的氧化锌针状纳米结构阵列是一种理想的平面场发射材料.

关 键 词：氧化锌 热蒸发 阵列场发射  屏蔽效应

分 类 号：TB383.1[材料类]