文献类型：期刊文章

作　　者：邱晨光[1] 徐慧龙[1] 张志勇[1] 彭练矛[1]

机构地区：[1]北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室、北京大学电子学系,北京100871

出　　处：《物理》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB933001;2011CB933002)资助项目

年　　份：2012

卷　　号：41

期　　号：12

起止页码：789-795

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：量子电容在半导体纳米材料和器件中是一个日趋重要的参数,测量和提取石墨烯的量子电容,不仅可以得到石墨烯的重要物理性质,而且对石墨烯晶体管的尺寸缩减行为具有重要指导意义.文章中采用简单工艺在石墨烯上制备出均匀超薄的高质量Y2O3栅介质,其等效栅氧厚度(EOT)可缩减至1.5nm,通过控制栅介质厚度的变化,精确测量并提取了石墨烯量子电容,其电容值在远离狄拉克点时与理论计算相符合;在此基础上,文章作者提出了基于电势涨落的量子电容微观模型,通过采用单一参数——电势涨落δV,可以定量地描述Dirac点附近的量子电容行为,从而在全能量范围内实现对石墨烯量子电容测量值的完美拟合,并得到了石墨烯的相关重要参数.进而,作者从量子电容的角度,探索了石墨烯晶体管的性能极限,并比较其相对于Ⅲ-Ⅴ族场效应晶体管的潜在优势.

关 键 词：石墨烯 量子电容  顶栅场效应晶体管  纵向缩减  Y2O3

分 类 号：TN386]