文献类型：期刊文章

作　　者：刘晨晨[1] 张志勇[1]

Chenchen Liu;Zhiyong Zhang(Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices and Center for Carbon-based Electronics,Department of Electronics,Peking University,Beijing 100871)

机构地区：[1]北京大学纳米器件物理与化学教育部重点实验室与碳基电子学研究中心,北京100871

出　　处：《中国科学：化学》

基　　金：国家重点研发计划纳米专项(资助号:2016YFA0201901)资助项目。

年　　份：2021

卷　　号：51

期　　号：11

起止页码：1457-1473

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：碳纳米管凭借其优良的电学性质、准一维尺寸以及稳定的结构成为后摩尔时代最理想的半导体材料.目前碳基电子学已经取得很大进展,例如可以在4寸晶圆上得到高半导体纯度(超过99.9999%)的密排(100~200 CNTs/μm)阵列碳纳米管,晶体管栅长可以缩至5 nm且具备超越硅基的性能,世界首个碳基现代微处理器RV16XNANO已经问世.本文综述了近年来碳纳米管在材料、器件和集成电路方面的发展,以及未来可能在光电、传感、显示和射频等领域的应用前景.最后,文章列举了碳基CMOS集成电路推向产业化的过程中面临的一系列挑战,并对碳基技术发展路线做了进一步展望.

关 键 词：碳纳米管 CMOS晶体管 集成电路 纳米电子学

分 类 号：TQ127.11] TB383.1[材料类] TN386.1]