文献类型：期刊文章

作　　者：刘一凡[1] 张志勇[1]

Liu Yi-Fan;Zhang Zhi-Yong(Key Laboratory for the Physics and Chemistry of Nanodevices,Center for Carbon-based Electronics,Peking University,Beijing 100871,China)

机构地区：[1]北京大学,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,碳基电子学研究中心,北京100871

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家重点研发计划(资助号:2016YFA0201901)资助的课题.

年　　份：2022

卷　　号：71

期　　号：6

起止页码：386-421

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：近六十年来,以硅为核心材料的半导体技术,特别是CMOS集成电路技术推动了人类信息社会的深刻变革,但也逐渐接近其物理极限和工程极限,全球半导体产业已经进入后摩尔时代.半导体性碳纳米管具有高迁移率、超薄体等诸多优异的电学特性,因此成为后摩尔时代新型半导体材料的有力候选.基于碳纳米管的碳基电子技术历经二十余年发展,在材料制备、器件物理和晶体管制备等基础性问题中也已经取得了根本性突破,其产业化进程从原理上看已经没有不可逾越的障碍.因此,本文着重介绍了碳基电子技术在后摩尔时代的本征优势,综述了碳基电子技术的基础性问题、进展和下一步的优化方向,及其在数字集成电路、射频电子、传感器、三维集成和特种芯片等领域的应用前景.最后,本文还分析了碳基电子技术产业化进程中的综合性挑战,并对其未来发展做出预测和展望.

关 键 词：碳纳米管 碳基电子技术  CMOS 晶体管 集成电路

分 类 号：TQ127.11] TN0]