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四川固体电路研究所 收藏

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研究主题:离子注入    集成电路    CMOS    硅    放大器    

研究学科:电子信息类    自动化类    电气类    经济学类    

被引量:23H指数:3WOS: 4 EI: 7 北大核心: 15 CSCD: 37

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46 条 记 录,以下是 1-10

高速A/D转换器的满功率带宽测试 ( EI收录)
1
《电子学报》电子科技大学CAT室;四川固体电路研究所 李迅波 廖述剑 陈光 严顺柄  出版年:1999
国防科研基金资助项目
:本文采用“相干测试”原理,推导出低于或高于奈奎斯特采样频率时的基波恢复算法,完成了高速A/D的满功率带宽测试,及相关动态参数的测试,表征了高速A/D的动态特性。
关键词:满功率带宽  高速模数转换  数字信号处理 DSP
基于带图形的硅衬底上制备硅薄膜的技术
2
《传感技术学报》四川固体电路研究所军用模拟集成电路国防重点实验室 张正元 徐世六 冯建 胡明雨  出版年:2006
国防重点实验室重点基金项目资助(A1120060490)
对硅基MEMS的可动部件很多都是采用在带图形的硅衬底上制备的硅薄膜通过深槽腐蚀释放获得的特点,开展在带图形的硅衬底上制备硅薄膜技术研究,得到一种通过两次硅硅键合、减薄抛光、一次湿法腐蚀硅相结合的在带图形的硅衬底上制备硅薄...
关键词:可动部件  硅薄膜 MEMS
CMOS单片集成恒带宽放大模块 ( EI收录)
3
《Journal of Semiconductors》电子科技大学微电子科学与工程系;四川固体电路研究所 杨谟华 成勃 于奇 肖兵 谢孟贤 杨存宇 江泽福 严顺炳  出版年:1997
基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型,并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术,已经获得了一种具有300kHz~1MHz恒带宽、0~20dB可调增益...
关键词:CMOS 单片集成电路 带宽 放大器
半导体器件的预辐射技术
4
《微电子学》四川固体电路研究所 郭树田  出版年:1990
本文介绍一种半导体器件预辐射技术,这种技术可将半导体器件的辐射损伤消除,使器件的性能参数恢复到辐射前的水平。这种技术被应用于半导体器件加固保证的筛选和被辐射器件性能衰降的精确预测,是加固半导体器件研制生产中的一种早期技术...
关键词:半导体器件 预辐射技术  生产工艺
微型组装的级联对数放大器
5
《微电子学》四川固体电路研究所 曾大富  出版年:1989
本文结合对数放大器在雷达接收机中的应用,采用微型组装级联单片对数放大器的方法,来扩大动态范围,提高对数精度,从而获得适当的频带和传输时延。文中列出了微型组装的五级、六级和七级级联对数放大器的测试结果。
关键词:对数放大器 微组装 放大器 组装  
消除CMOS IC闭锁的外延加双保护环技术
6
《微电子学》四川固体电路研究所 张正璠  出版年:1990
本文简要描述了CMOS集成电路的闭锁机理,提出了消除CMOS集成电路闭锁的n^-/n^+外延加双保护环结构;把这种结构用于CC4066电路,在5.6×10~8Gy/s的γ瞬时剂量率下进行辐照实验,电路均不发生闭锁。最后得...
关键词:CMOS IC 闭锁 外延层 保护环
小型化光电隔离型长线差分收发器
7
《半导体光电》重庆光电技术研究所;四川固体电路研究所 谢俊聃 岳东旭 廖希异 张佳宁 王君  出版年:2016
设计了一种小型化光电隔离型长线差分收发器,采用光电隔离的方式实现差分收发器信号的隔离传输,重点突出了其小型化特点和电气隔离功能。叙述了该器件的工作原理和结构设计,简要介绍了其制作过程。最后介绍了器件的主要性能参数及测试结...
关键词:小型化 光电隔离 光电耦合器 差分信号 收发器
微电子组装技术述评——兼议我所微组装技术发展方向
8
《微电子学》四川固体电路研究所 曾大富  出版年:1990
微电子组装技术是从电路集成到系统集成的关键技术,它的支柱是高性能、高集成度集成电路和微细高密度多层互连基板。而后者又可分为优质薄膜多层布线板和优质厚膜多层布线板,其中又包括若干支撑技术和基础技术。 本文介绍了微电子组装技...
关键词:微电子 组装  集成电路 互连基板  
发展中的绝缘体上硅材料技术
9
《微电子学》四川固体电路研究所 蔡永才  出版年:1989
在高可靠、抗核加固IC和亚微米CMOSFET VLSI电路应用中,绝缘体上硅 (SOI)是一种很有前途的材料技术。本文对形成SOI的各种技术及其优缺点和目前状况以及未来前景作了评述。对国内的SOI研究作了简单的介绍。
关键词:绝缘体上硅 半导体材料 SOI技术
SOINMOSFET沟道热载流子的应力损伤 ( EI收录)
10
《Journal of Semiconductors》西安电子科技大学微电子研究所;四川固体电路研究所 郝跃 朱建纲 郭林 张正幡  出版年:2001
"九五"国防预研资助!项目 (编号 :8.5 .3.4)&&
研究了沟道热载流子应力所引起的 SOI NMOSFET的损伤 .发现在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )和高栅压应力(Vg≈ Vd)条件下 ,器件损伤表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,多...
关键词:SOI 热载流子 阈值电压 NMOSFET 应力损伤  场效应晶体管
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