文献类型：期刊文章

作　　者：郝跃[1] 朱建纲[1] 郭林[2] 张正幡[2]

机构地区：[1]西安电子科技大学微电子研究所,西安710071 [2]四川固体电路研究所,重庆400060

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金："九五"国防预研资助!项目 (编号 :8.5 .3.4)&&

年　　份：2001

卷　　号：22

期　　号：4

起止页码：486-490

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了沟道热载流子应力所引起的 SOI NMOSFET的损伤 .发现在中栅压应力 (Vg≈ Vd/ 2 )和高栅压应力(Vg≈ Vd)条件下 ,器件损伤表现出单一的幂律规律 ;而在低栅压应力 (Vgs≈ Vth)下 ,多特性的退化规律便会表现出来 .同时 ,应力漏电压的升高、应力时间的延续都会导致退化特性的改变 .这使预测 SOI器件的寿命变得非常困难 .

关 键 词：SOI 热载流子 阈值电压 NMOSFET 应力损伤  场效应晶体管

分 类 号：TN386.1]