期刊文章详细信息
消除CMOS IC闭锁的外延加双保护环技术
The prevention of Latch-up in CMOS ICs by n^-/n+ Epi-layer and Double Guard Rings
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]四川固体电路研究所
年 份：1990
卷 号：20
期 号：4
起止页码：7-10
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、普通刊
摘 要：本文简要描述了CMOS集成电路的闭锁机理,提出了消除CMOS集成电路闭锁的n^-/n^+外延加双保护环结构;把这种结构用于CC4066电路,在5.6×10~8Gy/s的γ瞬时剂量率下进行辐照实验,电路均不发生闭锁。最后得出,外延加双保护环结构,对中小规模电路而言,是一种消除CMOS电路闭锁的有效方法。
关 键 词：CMOS IC 闭锁 外延层 保护环
分 类 号：TN432]
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