期刊文章详细信息
发展中的绝缘体上硅材料技术
The Developing Silicon-on-lnsulator Material Technology
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]四川固体电路研究所
年 份：1989
卷 号：19
期 号：5
起止页码：1-7
语 种：中文
收录情况：AJ、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、普通刊
摘 要：在高可靠、抗核加固IC和亚微米CMOSFET VLSI电路应用中,绝缘体上硅 (SOI)是一种很有前途的材料技术。本文对形成SOI的各种技术及其优缺点和目前状况以及未来前景作了评述。对国内的SOI研究作了简单的介绍。
关 键 词：绝缘体上硅 半导体材料 SOI技术
分 类 号：TN304.055]
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