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中国电子科技集团公司第四十六研究所 收藏

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研究主题:硅单晶    硅片    光纤    砷化镓    锗    

研究学科:电子信息类    机械类    自动化类    电气类    经济学类    

被引量:1,073H指数:10WOS: 25 EI: 54 北大核心: 308 CSCD: 226

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819 条 记 录,以下是 1-10

高强高导纯铜线材及铜基材料的研究进展 ( EI收录)
1
《稀有金属》天津大学分析中心;中国电子科技集团公司第四十六研究所 崔兰 季小娜 陈小平 丁丽  出版年:2004
综述了获得高强高导纯铜线材及铜基材料的方法 ,并对高强高导铜基材料研究领域的几个热点问题即 :铜基原位变形复合材料、快速凝固法、氧化物弥散强化铜以及稀土在高强高导铜合金中的应用等进行了介绍。
关键词:纯铜线材  铜基材料 高强高导 研究热点  
全国产光纤材料器件实现高SRS抑制比20.88 kW输出 ( EI收录)
2
《中国激光》中国工程物理研究院激光聚变研究中心;中国电子科技集团公司第四十六研究所 李峰云 黎玥 宋华青 衣永青 楚秋慧 张昊宇 黄珊 郭超 舒强 颜冬林 陶汝茂 黄智蒙 庞璐 沈一泽 史仪 高聪 刘念 贺红磊 李雨薇 刘玙 吴文杰 王旗华 温静 汪卓 林宏奂 王建军 景峰  出版年:2021
数万瓦级光纤激光器研究主要面临半导体激光器(LD)亮度不足、非线性效应和热效应严重等问题,其涉及光学系统设计、光纤材料研究和光纤器件制备等多个领域,目前并没有成熟的系统性解决方案,国内鲜有相关公开实验报道。近期,中国工程...
关键词:光纤材料 光纤激光器  光纤器件 激光输出 非线性效应  大模场光纤  倾斜光栅  实验报道  
硅片CMP抛光工艺技术研究
3
《电子工艺技术》中国电子科技集团公司第四十六研究所 刘玉岭  出版年:2010
介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响。通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺...
关键词:硅片 化学机械抛光 去除速率 缺陷  
全光纤结构的脉冲光纤放大器 ( EI收录)
4
《中国激光》中国电子科技集团公司第四十六研究所 段云锋 黄榜才 张鹏 潘蓉 宁鼎  出版年:2007
总装预研项目(51302040202A);国家安全重大基础研究项目子专题(61359020102)资助课题
结合双包层掺镱光纤(YDCF)和主振荡功率放大(MOPA)技术,利用熔融拉锥的光纤侧面耦合器,设计和实验研究了全光纤结构的脉冲光纤放大器。在不同重复频率时,通过放大脉冲激光的输出光谱,对输出脉冲激光中的剩余抽运光和受激拉...
关键词:激光技术 脉冲光纤放大器 全光纤结构 高峰值功率 主振荡功率放大 受激拉曼散射
国产光纤实现直接抽运全光纤化3000W级激光输出 ( EI收录)
5
《物理学报》清华大学精密仪器系;武汉烽火锐光科技有限公司;中国电子科技集团公司第四十六研究所 王雪娇 肖起榕 闫平 陈霄 李丹 杜城 莫琦 衣永青 潘蓉 巩马理  出版年:2015
国家自然科学基金(批准号:61307057);中国博士后科学基金(批准号:2012M520258;2013T60109)资助的课题~~
基于国产光纤构建了直接抽运全光纤化主控振荡器功率放大器结构光纤激光器,放大级分别采用武汉烽火锐光科技有限公司和中国电子科技集团公司第四十六研究所提供的国产20/400μm掺镱双包层光纤作为增益光纤,通过全国产化放大级实现...
关键词:高功率光纤激光器 直接抽运 国产光纤  全光纤化  
物理气相传输法制备大面积AlN单晶 ( EI收录)
6
《硅酸盐学报》中国电子科技集团公司第四十六研究所 齐海涛 洪颖 王香泉 王利杰 张志欣 郝建民  出版年:2013
以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条件;分析了样品的相组成和形貌。结果表明:样品中SiC–AlN界面明晰,AlN单...
关键词:氮化铝单晶  物理气相传输法  碳化硅籽晶  
纳米隐身材料及其在信息化战争中的应用
7
《微纳电子技术》中国电子科技集团公司第四十六研究所 张臣  出版年:2005
论述了纳米隐身材料的一些特殊性质;介绍了国内外纳米隐身材料的研究概况;展望了纳米隐身材料的应用前景和未来发展方向。
关键词:纳米材料 吸波性能 隐身
宽禁带半导体材料技术
8
《电子工业专用设备》中国电子科技集团公司第四十六研究所 李宝珠  出版年:2010
宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生...
关键词:宽禁带 半导体 材料  研究进展  
砷化镓材料技术发展及需求
9
《天津科技》中国电子科技集团公司第四十六研究所 周春锋 兰天平 孙强  出版年:2015
介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料...
关键词:砷化镓 单晶生长 HB LEC VB  VGF
线切割机加工半导体晶片质量控制的研究
10
《半导体技术》中国电子科技集团公司第四十六研究所 常美茹  出版年:2006
根据线切割机的工作原理,切片过程中硅片因机械作用造成的刀痕、损伤、破损产生包括机械应力和热应力在内的应力,进而产生滑移位错。当机械应力和热应力在高温处理过程中的作用超过晶体滑移临界应力时,会产生硅片的破碎。对于翘曲度、弯...
关键词:硅片质量  线切割 应力 质量控制  
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