期刊文章详细信息
宽禁带半导体材料技术
Investigation on Wide Bandgap Semiconductor Material
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220
年 份：2010
卷 号：39
期 号：8
起止页码：5-10
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：宽禁带半导体材料是一种新型材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高等特点,非常适合于制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成电子器件;利用其特有的禁带宽度,还可以制作蓝光、绿光、紫外光器件和光探测器件,能够适应更为苛刻的生存和工作环境。在宽禁带半导体材料中,具有代表性的是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、金刚石以及氧化锌(ZnO),综合叙述了这些材料的特性、发展现状和趋势;并介绍了SiC、GaN、ZnO材料的应用情况和代表性器件的研究进展。
关 键 词：宽禁带 半导体 材料 研究进展
分 类 号：TN304.05]
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