文献类型：期刊文章

作　　者：齐海涛[1] 洪颖[1] 王香泉[1] 王利杰[1] 张志欣[1] 郝建民[1]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220

出　　处：《硅酸盐学报》

年　　份：2013

卷　　号：41

期　　号：6

起止页码：803-807

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20132716471154)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以自制[0001]正晶向SiC衬底为籽晶,采用物理气相传输法制备了直径42 mm、厚度700μm的AlN单晶层。介绍了晶体生长系统和生长工艺条件;分析了样品的相组成和形貌。结果表明:样品中SiC–AlN界面明晰,AlN单晶层透明、形貌平整,具有微台阶表面特征。Raman光谱和X射线衍射测试显示该层结晶性好,无杂质相,为典型的2H单晶晶型,生长面为标准的c面正晶向。

关 键 词：氮化铝单晶  物理气相传输法  碳化硅籽晶  

分 类 号：O782]