期刊文章详细信息
砷化镓材料技术发展及需求
GaAs Materials:A Review of Technological Development and Market Demands
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220
年 份：2015
卷 号：42
期 号：3
起止页码：11-15
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：介绍了HB、LEC、FEC、VCZ、VB、VGF砷化镓单晶炉及生长技术,分析了各种生长技术的优缺点及发展趋势。HB砷化镓多晶合成和单晶生长可以同时完成,生长温度梯度小、位错小、应力小;其缺点为不易生长半绝缘砷化镓单晶材料。LEC法生长过程可见,成晶情况可控,可生长大尺寸、长单晶;其缺点是晶体温度梯度大、位错密度高、应力高、晶体等径控制差。VB/VGF法生长出的单晶位错密度和残留应力比LEC法低,晶体等径好,适合规模生产;其缺点在于容易产生双晶、线性缺陷和花晶,过于依赖生长系统重复性和稳定性。
关 键 词：砷化镓 单晶生长 HB LEC VB VGF
分 类 号：TN304.2]
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