期刊文章详细信息
硅片CMP抛光工艺技术研究
Study on Chemical Mechanical Polishing of Silicon Wafer
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津300220
年 份：2010
卷 号：31
期 号：5
起止页码：299-302
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：介绍了硅片机械-化学抛光技术,重点分析了10.16 cm硅片抛光加工过程中抛光液的pH值、抛光压力和抛光垫等因素对硅片抛光去除速率及表面质量的影响。通过试验确定了硅片抛光过程中合适的工艺参数,同时对抛光过程中出现的各种缺陷进行了分析总结,并提出了相应的解决方案。
关 键 词：硅片 化学机械抛光 去除速率 缺陷
分 类 号：TN305.2]
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