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浙江大学信息科学与工程学院微电子技术与系统设计研究所 收藏

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研究主题:CMOS工艺    CMOS    恒流驱动    同步整流    MOSFET    

研究学科:电子信息类    电气类    

被引量:82H指数:6WOS: 2 EI: 8 北大核心: 18 CSCD: 19

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23 条 记 录,以下是 1-10

LDO的三种频率补偿方案实现 ( EI收录)
1
《电子器件》浙江大学信电系微电子技术与系统设计研究所 郭鹏 沈相国  出版年:2006
从理论上分析了三种不同的LDO电压转换电路及各自的频率补偿方案,并基于SPECTRE对此三种LDO的各项性能进行了仿真,仿真采用0.6μm 5 V CMOS工艺。在此基础上,对这三种LDO电路各自的优缺点进行了比较以便于...
关键词:频率补偿 低压差电压转换器  LDO稳定性  
脉宽调制型大功率LED恒流驱动芯片的研究
2
《固体电子学研究与进展》浙江大学信息与电子工程学系微电子技术与系统设计研究所 沈慧 郭维 朱大中  出版年:2006
浙江省教育厅科研项目(编号20051006);浙江大学微电子所-杭州高特联合研发中心科研项目
基于0.6μm5V标准CMOS工艺,研究并设计了一种脉宽调制型大功率照明LED恒流驱动芯片为1W大功率照明LED灯提供350mA恒定的平均驱动电流。实现了在5V电源电压有10%跳变时,平均驱动电流的变化可被控制在4.5%...
关键词:互补金属氧化物半导体集成电路  照明发光二极管  脉宽调制型  恒流驱动 电源效率
新型高效同步整流式DC-DC开关电源芯片的设计 ( EI收录)
3
《电子器件》浙江大学信电系微电子研究所 许幸 何杞鑫 王英  出版年:2006
随着计算机和半导体技术的发展,低电压大电流开关电源成为目前一个重要的研究课题。同步整流技术是目前开关电源中一种新型的转换效率提升技术,应用十分广泛。文中提出了一种同步整流式DC-DC电源管理芯片的结构,具有大电流、高效率...
关键词:DC-DC 同步整流 斜波补偿  死区时间控制  电流采样
半导体照明光源恒流驱动芯片的研究
4
《固体电子学研究与进展》浙江大学信息与电子工程学系微电子技术与系统设计研究所 沈慧 朱大中  出版年:2006
浙江省教育厅科研项目(编号20051006);浙江大学微电子所--杭州高特联合研发中心科研项目
介绍了一种半导体照明光源恒流驱动芯片的设计。该芯片采用0.6μm CM O S标准工艺制造,包含有大功率M O SFET、带隙基准源电路、输出缓冲电路和取样反馈控制电路几个主要功能模块,在标准工艺线上实现了功率器件与控制...
关键词:半导体照明 互补金属氧化物半导体集成电路  功率集成 恒流驱动
功率因数校正器芯片电路UC3854的分析
5
《微电子学》浙江大学微电子技术和系统设计研究所 詹桦 韩雁  出版年:2002
随着开关电源越来越广泛的应用 ,电网的功率因数大大下降 ,功率因数校正成为一个新的问题。 UC385 4就是解决这个问题的一种高性能功率因数校正器。该电路采用平均电流模型 ,它通过脉宽调制输出的一连串脉冲信号来控制电路中...
关键词:功率因数校正器 芯片电路UC3854  开关电源 脉冲宽度调制 乘法器
一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件
6
《微电子学》浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所 方邵华 何杞鑫 姚云龙  出版年:2003
 高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路的研究与发展,主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件,并对该器件结构进行了...
关键词:高压集成电路 LDMOS器件 击穿特性 击穿电压 RESURF 横向双重扩散型  
一种新型低压功率MOSFET结构分析
7
《半导体技术》浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所 姚丰 何杞鑫 方邵华  出版年:2005
宁波市工业科研攻关计划项目(2004B100017)
介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在 结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。
关键词:垂直双扩散型金属氧化物半导体  沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管  器件仿真  导通电阻
氧化锌中的本征点缺陷对材料光电性能的影响 ( EI收录)
8
《材料导报》浙江大学信电系微电子技术与系统设计研究所 章炜巍 朱大中 沈相国  出版年:2004
国家自然科学基金(No.60176027)
ZnO薄膜中的本征点缺陷对材料的电学、发光性能有着至关重要的影响。目前,对本征点缺陷的研究是ZnO领域的一大热点,也是实现ZnO基光电器件的关键技术之一。本文结合最新研究,扼要综述了本征点缺陷的电荷特性、对本征ZnO为n...
关键词:本征 点缺陷 光电性能  光电器件 发光性能  绿光 ZNO薄膜 氧化锌 电学  领域  
CMOS微环境pH传感芯片研究 ( EI收录)
9
《传感技术学报》浙江大学信息与电子工程学系 施朝霞 朱大中  出版年:2006
国家自然科学基金(NSFC)资助项目(60576050)
基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独...
关键词:离子敏场效应晶体管 CMOS工艺 多层浮栅  集成参考电极  
新型低压、高速CMOS电荷泵电路
10
《电子器件》浙江大学微电子技术与系统设计研究所 俞宏 韩雁  出版年:2005
针对电荷泵传统电路中存在的电荷注入、时钟馈通、电荷分享等现象、问题,提出了相应的解决措施,并且提出了一种新型的电荷泵电路。电路按0.18μmCMOS工艺设计,Spectre仿真,可以工作在1V电源电压下,频率达到1GHz...
关键词:电荷泵 锁相环 电荷注入 高速低功耗
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