文献类型：期刊文章

作　　者：方邵华[1] 何杞鑫[1] 姚云龙[1]

机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所,浙江杭州310027

出　　处：《微电子学》

年　　份：2003

卷　　号：33

期　　号：2

起止页码：105-108

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：　高压集成电路是将高压器件和低压控制电路集成在同一芯片上的集成电路,高压集成电路的研究与发展,主要是高压器件、高压集成电路工艺以及设计技术的发展。文章提出了一种适用于高压集成电路的新型LDMOS器件,并对该器件结构进行了耐压分析,给出了该器件的击穿特性、等势线和电流线等模拟曲线。对不同参数模拟的曲线进行了分析和比较。结果表明,该结构具有比较高的击穿电压,并且工艺简单,受工艺参数波动的影响较小,不失为一种提高集成电路耐压的新途径。

关 键 词：高压集成电路 LDMOS器件 击穿特性 击穿电压 RESURF 横向双重扩散型  

分 类 号：TN432]