期刊文章详细信息
一种新型低压功率MOSFET结构分析
Analysis for a New Low-Voltage Power MOSFET Structure
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程系微电子技术与系统设计研究所,杭州310027
基 金：宁波市工业科研攻关计划项目(2004B100017)
年 份：2005
卷 号：30
期 号：11
起止页码：53-56
语 种：中文
收录情况：AJ、BDHX、BDHX2004、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊
摘 要：介绍了一种新型的低压功率MOSFET结构——Trench MOSFET。将其与常规VDMOS通过在 结构参数、电性能参数上的比较和分析,最终肯定了Trench MOSFET结构的优点。
关 键 词：垂直双扩散型金属氧化物半导体 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 器件仿真 导通电阻
分 类 号：TN386.1]
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