文献类型：期刊文章

作　　者：施朝霞[1] 朱大中[1]

机构地区：[1]浙江大学信息与电子工程学系,微电子技术与系统设计研究所,杭州310027

出　　处：《传感技术学报》

基　　金：国家自然科学基金(NSFC)资助项目(60576050)

年　　份：2006

卷　　号：19

期　　号：3

起止页码：577-580

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2004、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：20063310071825)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于离子敏感场效应晶体管(ISFET)基本结构及其电学特性,提出了一种应用标准CMOS工艺实现的多层浮栅结构pH-ISFET。利用CMOS标准工艺中LPCVD淀积的Si3N4钝化层作为氢离子敏感层,pad工艺形成微区域独立传感窗口。片上集成100μm×100μm电极提供参考电位,消除了外加参考电位引起的溶液电压分布不均的现象。缓冲液从pH值1-13范围内对ISFET进行了测量,器件阈值电压随溶液pH值变化的平均灵敏度为44mV/pH,线性度在10%范围内。本结构可用于生物微环境pH值集成传感芯片设计中。

关 键 词：离子敏场效应晶体管 CMOS工艺 多层浮栅  集成参考电极  

分 类 号：TN432]