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兰州大学物理科学与技术学院微电子学研究所 收藏

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研究主题:有机场效应晶体管    静电感应晶体管    I-V特性    AFM    聚酰亚胺    

研究学科:电子信息类    自动化类    电气类    

被引量:101H指数:5WOS: 10 EI: 21 北大核心: 49 CSCD: 38

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67 条 记 录,以下是 1-10

基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究
1
《微纳电子技术》中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室;兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所;安徽大学电子科学与技术学院 李颖弢 刘明 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃  出版年:2009
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(60825403,90607022,60506005)
随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本...
关键词:阻变存储器  非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制  工作原理  
纳米碳化硅颗粒的团聚及分散的研究进展 ( EI收录)
2
《材料工程》兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所 刘亚虎 蔡雪原 朱延超 张琳娇 杨建红  出版年:2013
介绍了微粒团聚机理、团聚类型及其区别;在介绍软团聚处理方法的基础上,综述了pH值、悬浮液黏度及分散剂类型对纳米碳化硅分散效果的影响;阐述了自然碳化硅的带电状态、化学成分及其表面改性情况;在列举了添加分散剂前后纳米碳化硅等...
关键词:纳米碳化硅 团聚 分散剂 PH值 黏度 ZETA电位
阴极功函数和激子产生率对肖特基接触单层有机太阳能电池开路电压的影响研究 ( EI收录 SCI收录)
3
《物理学报》兰州大学物理学院微电子研究所;兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室 李荣华 孟卫民 彭应全 马朝柱 汪润生 谢宏伟 王颖 叶早晨  出版年:2010
运用数值方法系统研究了阴极功函数,激子产生率和温度对肖特基接触单层有机太阳能电池开路电压的影响,分析了开路电压条件下有机太阳能电池有机层内载流子和电场的分布.结果表明在阳极功函数一定时开路电压随着阴极功函数(Wc)的降低...
关键词:开路电压 温度 阴极功函数  单层有机太阳能电池  
硅/硅直接键合的界面应力
4
《微纳电子技术》东南大学MEMS教育部重点实验室;兰州大学微电子研究所 陈新安 黄庆安 李伟华 刘肃  出版年:2004
国家863计划项目(2003AA404010);国家杰出青年科学基金项目(50325519)资助
硅/硅直接键合技术广泛应用于SOI,MEMS和电力电子器件等领域,键合应力对键合的成功和器件的性能产生很大的影响。键合过程引入的应力主要是室温下两硅片面贴合时表面的起伏引起的弹性应力;高温退火阶段由于两个硅片的热膨胀系数...
关键词:硅直接键合 应力 弹性变形  高温退火
Si基JBS整流二极管的设计与制备
5
《半导体技术》兰州大学微电子研究所;西安微电子技术研究所 王朝林 王一帆 岳红菊 刘肃  出版年:2012
甘肃省科技支撑计划-工业类(090GKCA049)
基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增...
关键词:Si基JBS整流二极管  功率肖特基二极管  蜂窝状结构  I-V特性 场限环
CMOS工艺制备聚酰亚胺电容型湿度传感器及其性能
6
《电子元件与材料》兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所 崔千红 杨子健 韦波 杨建红  出版年:2009
以正胶光刻和干湿刻蚀方法,结合CMOS工艺制备了聚酰亚胺电容型湿度传感器。研究了硅基、钼–铝栅条状电极湿度传感器的结构及亚胺化温度对其性能的影响。结果表明:相对湿度(RH)为20%~80%发生准静态变化时,该传感器的湿度...
关键词:湿度传感器 电容型 聚酰亚胺 CMOS工艺
高精度低噪声基准电压源的设计
7
《固体电子学研究与进展》兰州交通大学电子与信息工程学院;兰州大学微电子研究所 刘春娟 王永顺 刘肃  出版年:2011
甘肃省科技支撑项目(097GKCA052)
利用反向带隙电压原理,采用基于CMOS阈值电压的自偏置共源共栅电流镜技术,设计了一种低压低噪声基准电压源。该电压基准源没有外加滤波电容的情况下,通过双极型晶体管大的输出阻抗特性,实现了更低的噪声输出,提高了输出电压的精度...
关键词:基准电压源 低电压 阈值电流产生电路  自偏置 低噪声
3.3V/0.18μm恒跨导轨对轨CMOS运算放大器的设计
8
《电子技术应用》兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所 马玉杰 高俊丽 后永奇 耿晓勇 杨建红  出版年:2012
基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种3.3 V低压轨对轨(Rail-to-Rail)运算放大器。该运算放大器的输入级采用3倍电流镜控制的互补差分对结构,实现了满电源幅度的输入输出和恒输入跨导;输出级采用前馈式AB类...
关键词:运算放大器 低压 恒跨导 轨对轨
功率VDMOS器件漏电流、热阻与软焊料空洞率的关系
9
《电子器件》兰州大学微电子研究所;华天微电子股份公司 谭稀 蒲年年 徐冬梅 崔卫兵 王磊 朱宇鹏 柴彦科 刘肃  出版年:2015
甘肃省科技重大专项项目(1203GKDE008)
现在被广泛应用的VDMOS器件存在诸多失效模式,主要表现为直流参数大漏电和热阻过高问题,限制了器件应用。通过对其失效器件进行X-RAY、SEM、EDS分析表征得到相关规律。研究结果表明空洞率相对较小时,漏电流大小、热阻值...
关键词:VDMOS 大漏电  高热阻  空洞率 X-RAY SEM  EDS
应用于A/D转换器中的基准电压源的设计
10
《通信电源技术》兰州大学微电子学研究所 刘肃 刘丰  出版年:2003
基准电压源是A/D转换器中非常重要的模块,它的稳定性直接影响着A/D转换器的性能。在TSMC0.18μm/3.3VN wellCMOS工艺条件下,温度系数可达十几个ppm/℃。在频率等于100kHz时,PSRR达到54d...
关键词:基准电压源 A/D转换器 CMOS 电源抑制比
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