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CMOS工艺制备聚酰亚胺电容型湿度传感器及其性能
Property of polyimide capacitive type humidity sensor prepared by CMOS process
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所,甘肃兰州730000
年 份：2009
卷 号：28
期 号：12
起止页码：19-22
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2008、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要：以正胶光刻和干湿刻蚀方法,结合CMOS工艺制备了聚酰亚胺电容型湿度传感器。研究了硅基、钼–铝栅条状电极湿度传感器的结构及亚胺化温度对其性能的影响。结果表明:相对湿度(RH)为20%～80%发生准静态变化时,该传感器的湿度–电容曲线具有较好的线性度;外界相对湿度在12%和92%间发生阶跃变化时,响应时间约为40s。
关 键 词：湿度传感器 电容型 聚酰亚胺 CMOS工艺
分 类 号：TP212]
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