文献类型：期刊文章

作　　者：王朝林[1] 王一帆[1] 岳红菊[2] 刘肃[1]

机构地区：[1]兰州大学微电子研究所,兰州730000 [2]西安微电子技术研究所,西安710054

出　　处：《半导体技术》

基　　金：甘肃省科技支撑计划-工业类(090GKCA049)

年　　份：2012

卷　　号：37

期　　号：3

起止页码：180-183

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2011_2012、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于JBS整流二极管理论,详细介绍了一种Si基JBS整流二极管设计方法、制备工艺及测试结果。在传统肖特基二极管(SBD)有源区,利用光刻和固态源扩散工艺形成掺硼的蜂窝状结构,与n型衬底形成pn结,反向偏置时抑制了因电压增加引起的金属-半导体势垒高度降低,减小了漏电流;采用离子注入形成两道场限环的终端结构,有效防止了边缘击穿,提高了反向击穿电压。对制备的器件使用Tektronix 370B可编程特性曲线图示仪进行了I-V特性测试,结果表明本文设计的Si基JBS整流二极管正向压降VF=0.78 V(正向电流IF=5 A时),反向击穿电压可达340 V。

关 键 词：Si基JBS整流二极管  功率肖特基二极管  蜂窝状结构  I-V特性 场限环

分 类 号：TN313.5]