文献类型：期刊文章

作　　者：李颖弢[1,2] 刘明[1] 龙世兵[1] 刘琦[1,3] 张森[1] 王艳[1,2] 左青云[1] 王琴[1] 胡媛[1] 刘肃[2]

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室,北京100029 [2]兰州大学物理科学与技术学院微电子研究所,兰州730000 [3]安徽大学电子科学与技术学院,合肥230039

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2008AA031403);国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB302706);国家自然科学基金资助项目(60825403,90607022,60506005)

年　　份：2009

卷　　号：46

期　　号：3

起止页码：134-140

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2008、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。

关 键 词：阻变存储器  非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制  工作原理  

分 类 号：TN304.21] TP333.8]